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Partial File Text GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Wesentliche Merkmale · Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren · Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
Datasheet Type Original
RoHS Unknown
Pb Free Unknown
Lifecycle Unknown
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