DSAFRAZ0010686.pdf
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Infineon Technologies
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GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
SFH 464
Wesentliche Merkmale
· Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
· Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
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Original
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