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    3LP03M

    Abstract: TYP300V
    Text: 3LP03M 注文コード No. N 8 1 5 4 3LP03M P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・高静電耐量 TYP300V [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。


    Original     		PDF 3LP03M TYP300V) 120mA 120mA, IT07659 --10V --15V IT08164 IT08166 3LP03M TYP300V

    MCH6629

    Abstract: D1306 TYP300V
    Text: MCH6629 注文コード No. N 8 2 3 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8239 をさしかえてください。 MCH6629 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長


    Original     		PDF MCH6629 N8239 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT09251 IT09252 IT09253 MCH6629 D1306 TYP300V

    SCH2301

    Abstract: TYP300V
    Text: SCH2301 注文コード No. N 8 9 7 4 三洋半導体データシート N SCH2301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF SCH2301 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT08165 900mm2 IT08470 IT08471 SCH2301 TYP300V

    MCH6630

    Abstract: TYP300V
    Text: MCH6630 注文コード No. N 8 2 4 0 三洋半導体データシート N MCH6630 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.5V 駆動。


    Original     		PDF MCH6630 TYP300V) 900mm2 350mA 350mA, 200mA, 900mm2 IT09245 MCH6630 TYP300V

    SCH2401

    Abstract: TYP300V 89754
    Text: SCH2401 注文コード No. N 8 9 7 5 三洋半導体データシート N SCH2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF SCH2401 TYP300V) 900mm2 350mA 350mA, 200mA, 900mm2 IT07521 IT08480 SCH2401 TYP300V 89754

    MCH6634

    Abstract: TYP300V
    Text: MCH6634 注文コード No. N 8 2 2 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8229 とさしかえてください。 MCH6634 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス


    Original     		PDF MCH6634 N8229 TYP300V) 900mm2 350mA 350mA, 200mA, 900mm2 IT09238 MCH6634 TYP300V

    SCH2601

    Abstract: TYP300V
    Text: SCH2601 注文コード No. N 8 3 2 9 三洋半導体データシート N SCH2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。


    Original     		PDF SCH2601 TYP300V 900mm2 350mA 350mA, 200mA, IT08166 900mm2 IT09569 SCH2601

    3LN03SS

    Abstract: D2006 TYP300V IT08161 IT07519
    Text: 3LN03SS 注文コード No. N 8 2 3 1 三洋半導体データシート N 3LN03SS N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。


    Original     		PDF 3LN03SS TYP300V) 180mA 180mA, IT07518 IT07516 IT07514 IT07519 IT07521 3LN03SS D2006 TYP300V IT08161 IT07519