BPY 10
Abstract: P1029 Q62702-P1029 Q62702-P9 fso06016
Text: BPY 12 BPY 12 H 1 BPY 12 BPY 12 H 1 feo06697 fso06016 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon-PIN-Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
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Original
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feo06697
fso06016
Q62702-P9
Q62702-P1029
Beze140
BPY 10
P1029
Q62702-P1029
Q62702-P9
fso06016
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: Q60215-Y66 BPY47p
Text: BPY 47 P BPY 47 P fso06633 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite
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Original
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fso06633
PHOTOVOLTAIC CELL
Q60215-Y66
BPY47p
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Q60215-Y65
Abstract: No abstract text available
Text: BPY 48 P BPY 48 P fso06634 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fso06634
Q60215-Y65
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bpy 62-4
Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
bpy 62-4
Q60215-Y1111
foto transistor
Y1112
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
Q60215Y1113
BPY62
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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Original
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BPY62
Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
BPY62
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y5198
Q60215-Y62
Q60215Y1113
BPY 62-3/4
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Bpy 43
Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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Bpy 43
Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)
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Original
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Q62702-P3595
Q62702-P3593
Q62702-P999
Q62702-P3594
Q6270
Q62702-P1677
Q62702-1129
Q62702-P216
Q62702-P956
Q62702-P1671
Bpy 43
BP 103-3
SFH 225 FA
BPX 43-3/4
SFH 309-3/4
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
OHRD1938
Q62702-P784
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
SFH 960
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Q62702P0097
Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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SDIP42
Abstract: STV3951 picture in picture
Text: STV3951 MULTI PICTURE-IN-PICTURE PROCESSOR . . . . . . Y, R-Y, B-Y INPUTS FOR SMALL PICTURE INTEGRATED ANTI ALIASING LOW-PASS FILTERS VERTICAL FILTERING ON CHROMA AND LUMINANCE 6 BITS PRECISE CONVERSION ON Y, R-Y AND B-Y FORMAT REDUCTION BY 3 OR 4 DISPLAY OF 1 TO 4 SMALL PICTURES
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Original
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STV3951
SHRINK42
SDIP42
PMSDIP42
STV3951
picture in picture
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diode SR 315
Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) welded 14.5 12.5 Chip position (2.7) 5.3 5.0 6.4 5.6 5.5 5.0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Radiant sensitive area 1.1 .9 1.1 0.9 ø4.8 ø4.6 ø0.45 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401
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Original
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GET06091
fet06091
fet06090
GEO06314
OHR00396
diode SR 315
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62703-Q1088
Q62703-Q1089
Q62703-Q1662
Q62703-Q1663
Q62703-Q1664
Q62703-Q1665
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OHRD1938
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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BPX65
Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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BPY64
Abstract: Q60215-Y67
Text: SIEMENS Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell BPY 64 P Anode red * Max. solder areas on front and back side gsoo 6636 Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale
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GS006636
BPY64
Q60215-Y67
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PHOTOVOLTAIC CELL
Abstract: BPy70 R2003
Text: « 1 » 'W BPY70 Silizium-NP-Fotoelement Silicon NP Photovoltaic Cell Anwendung: Umwandlung von Lichtenergie z.B. Sonnenlicht in elektrische Energie (Solarzelle) Application: Conversion of (solar) light energy into electrical energy Features: Besondere Merkmale:
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SFH Siemens
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position Radiant Sensitive area o o (O o O) GE006314 : SFH 481 Anode Cathode : SFH 401 O ) o (O o Chip position (2.7) Radiant sensitive area
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GE006314
GET06013
OHRD1937
SFH Siemens
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case
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235bD5
00S77Ã
fl235b05
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SFH Siemens
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Chip position 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode (SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) Radiant Sensitive area 00.45 i -L 5.3 5.0 7.4 GE006314 O Oí o o (O 6.6 Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481
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GE006314
GET06091
SFH401
SFH Siemens
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diode SR 315
Abstract: BPX65 high sensitive
Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481
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E006314
GET06091
GET06013
BPX65)
diode SR 315
BPX65 high sensitive
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Diode ev
Abstract: glass lens phototransistor
Text: SIEMENS CMPNTS t OPTO H4E D • flS3b32b QQDS227 3 * S I E X S IE M E N S BPY62 SERIES PHOTOTRANSISTOR T-41-61 Package Dimensions in Inches mm .110 -~ 4 .s u - .018 (0.45) 217 (5.5) .211 (5 35) .110 (2 .8 ) .106 (2.7) L |0 1 (2 54) n 571 (14 5) ' .492 (12 5)
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flS3b32b
QQDS227
BPY62
T-41-61
A23b32b
GGQS22Ô
Diode ev
glass lens phototransistor
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AP 4812
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) S * ' Anode = SFH 4 8 0 C a th o d e = SFH 4 0 0 SFH 480 SFH 481 SFH 482 (p a cka g e ) 1 4 .5 1 2 .5 ' A p p r o x . w e ig h t 0 . 3 5 g Anode = C a th o d e = 2 .7 0 0 .4 5 - • - C h ip
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a23SbOS
AP 4812
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: rZ I S G S -T H O M S O N * 7 t . üfflütgœiUKgTWO STV3951 MULTI PICTURE-IN-PICTURE PROCESSOR ADVANCE DATA DESCRIPTION The PIP processor provides all the functions nec essary to process the size reduction of a 4/3 TV picture in the format Y, R-Y, B-Y, and to allow a
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STV3951
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BPY62
Abstract: Phototransistor to-18 glass lens phototransistor
Text: SIEMENS AKTIENGESEL LSCH AF 47E D flS3SbGS 002750b S « S I E Û SIEM ENS BPY62 SERIES PHOTOTRANSISTOR Package Dimensions in Inches mm m 018 I0 45) — ,6 a 217 (5 5) 211 (5 35) 0 1 (2 54) 187 \ (4 75) Max \ \ Radiant Sensitive Area Maximum Ratings Operating and Storage Temperature (T ^ , T^ .
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002750b
BPY62
Phototransistor to-18
glass lens phototransistor
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