osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
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4510
Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse
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Original
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BPX osram
Abstract: Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse
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Original
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80-Serie
BPX osram
Q62703-Q72
GEOY6367
OHRD1938
Q62703-Q70
Q62703-Q71
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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OHRD1938
Abstract: BPX osram GEOY6021 Q62703-Q395 Q62703-Q67 LD261-1
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode
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Original
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GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
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Original
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BPX65
Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
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Original
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GEOY6645
GEXY6630
transistor 415
OHRD1938
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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OHRD1938
Abstract: sfh481-3
Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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Original
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O-46-Geh
OHRD1938
sfh481-3
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osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode
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Original
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80-Serie
OHR01878
GEO06367
OHRD1938
Q62703-Q70
Q62703-Q71
Q62703-Q72
Q62703-Q73
Q62703-Q74
Q62703-Q75
Q62703-Q76
Q62703-Q77
Q62703-Q78
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GEO06137
Abstract: OHLY0598 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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950nm
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GEO06645
Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode
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Original
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fexf6626
GEO06645
fex06630
GEX06630
OHR01553
OHR00860
GEO06645
GEX06630
OHRD1938
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Q62702-P296
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit SFH 305 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability
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Original
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GEOY6137
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it 401 a
Abstract: Q62702P0097
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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LD271 IR LED
Abstract: LD271 LD271 remote control IR LD271 GEO06645 GEX06239 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239
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Original
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fex06628
GEX06239
GEO06645
Ho271
OHR01041
OHR00257
OHR01879
LD271 IR LED
LD271
LD271 remote control
IR LD271
GEO06645
GEX06239
OHRD1938
Q62703-Q148
Q62703-Q256
Q62703-Q833
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SFH 350 V
Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091
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Original
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GET06091
fet06091
GEO06314
fet06090
OHR00395
OHR01937
SFH 350 V
GEO06314
GET06013
GET06091
Q62702-P784
Q62702-P786
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
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GMOY6078
Abstract: OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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0118G
GMOY6078
OHRD1938
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d 4515
Abstract: applications 4510 4510 GEO06968 GEO06969 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821 4510 chip
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • SMR (Surface Mount Radial) Gehäuse • Für Oberflächenmontage geeignet
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Original
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GEO06968
GEO06969
d 4515
applications 4510
4510
GEO06968
GEO06969
OHRD1938
Q62702-P1798
Q62702-P1821
4510 chip
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Q62702P0097
Abstract: GEOY6314 OHRD1938 BPY 62
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400 SFH 401 SFH 400 SFH 401 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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OHRD1938
Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an
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Original
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GEO06314
GET06091
GET06013
OHRD1938
Q62702-P784
Q62702-P787
Q62702-P790
Q62702-P96
Q62702-P98
BPY 62
SFH 960
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4511
Abstract: 4511 datasheet SFH 4511 datasheet GEXY6051 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 4511 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Peakwellenlänge 950nm • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Sehr enger Abstrahlwinkel ± 4° • Hohe Strahlstärke
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950nm
4511
4511 datasheet
SFH 4511 datasheet
GEXY6051
OHRD1938
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