BZW 10 diode
Abstract: DO-204AC diode 0613 06-5V8 06342
Text: BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 600 W Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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06-5V8
06-376B
DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
06-171B
BZW 10 diode
DO-204AC
diode 0613
06-5V8
06342
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DO-204AC
Abstract: No abstract text available
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 400 W Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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Original
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04-5V8
04-376B
DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
04-154B
DO-204AC
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diode bzw 06 26
Abstract: diode 0613 diode bzw 0611 06342
Text: BZW 06-5V8 . BZW 06-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 600 W Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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Original
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06-5V8
06-376B
DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
06-154B
diode bzw 06 26
diode 0613
diode bzw 0611
06342
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diode bzw
Abstract: 04-7V8
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 400 W Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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04-5V8
04-376B
DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
04-154B
diode bzw
04-7V8
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BZW 70 33
Abstract: diode 011101 04-376B 04-154B BZW0
Text: BZW 04-5V8 . BZW 04-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung ±0.05 Maximum stand-off voltage Maximale Sperrspannung
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04-5V8
04-376B
DO-15
DO-204AC)
UL94V-0
04-376B
04-154B
BZW 70 33
diode 011101
04-154B
BZW0
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Semipack skfh
Abstract: semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 semikron skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron semipack skkt 56/14 e Thyristor Tabelle skfh Z 151 VARISTOR
Text: 1. SEMIPACK Thyristor/Dioden - Module Besondere Merkmale Typische Anwendungen • Wärmeabfuhr über keramikisolierte Metall-Bodenplatte • Sanftanlaufgeräte für Wechselstrommotoren • Hartgelötete Verbindungen für höchste • Ungesteuerte Eingangs-Gleichrichter für
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JESD22-A114-F
Abstract: Application Specification 114-18022 734641-2 Dow corning 744 114-74013 1987025-1 114-18488 solarlok junction box photovoltaic module JESD22-A114F
Text: 114-18488 Application Specification 27. November 2009 Rev. S SOLARLOK * AMP GmbH Application specification 114-18488 Anschlusssystem für Solarpanels Connection system for Photovoltaic panel . Tyco Electronics Corporation, Harrisburg, PA 17105 * Trademark
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RAST-5-Standard
Abstract: ei CM48 Lumberg connector lc4 CZK48 W02 diode Lumberg connector 2A SolarEdge Technologies
Text: closer LC3 LC4® contacts Verbindungslösungen für Photovoltaik-Systeme Standardprodukte und kundenspezifische Lösungen für • Modulhersteller • Komponentenhersteller • Installateure und Systemintegratoren System LC3® • • • besonders schlank
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Quarzoszillator
Abstract: leistungstransistoren schaltungen 1N4001 SN74ALS138 SN74BCT2414 SN74HC138 SN74HCT138 TIP32 TL7705A
Text: EB181A Datensicherung EB181A Datensicherung in batteriegepufferten Speichern mit dem Dekoder SN74BCT2414 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 27.07.1988 Rev.: A Überarbeitet: 13.10.1995 1 Applikationslabor EB181A Datensicherung Dieser Bericht beschreibt die Funktion und Anwendung des Dekoders SN74BCT2414, der
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EB181A
SN74BCT2414
SN74BCT2414,
SN74BCT2414.
Quarzoszillator
leistungstransistoren
schaltungen
1N4001
SN74ALS138
SN74BCT2414
SN74HC138
SN74HCT138
TIP32
TL7705A
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EB192A
Abstract: schaltungen 4 bis 20 mA stromquelle and gatter Bauelemente serie a 3200 74AC SN74 SN7407 SN74HC
Text: EB192A Enwicklungsregeln EB192A WAS NICHT IM DATENBLATT STEHT Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 11.01.1994 Rev.: A 1 Applikationslabor EB192A Enwicklungsregeln Immer wieder trifft der Entwickler beim Entwurf von Baugruppen, die integrierte Schaltungen verwenden, auf Fragen, die in den Datenblättern nur unvollständig oder
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EB192A
EB192A
schaltungen
4 bis 20 mA stromquelle
and gatter
Bauelemente
serie a 3200
74AC
SN74
SN7407
SN74HC
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Halbleiterrelais und Halbleiter-Schaltschütze Der weltweit führende Experte für Halbleiter-Schalttechnologie Crydom, ein weltweit tätiger Experte für HalbleiterSchalttechnologie, vereint Technologie und Innovation, um seinen Kunden ein breites Sortiment an StandardHalbleiterrelais und Halbleiter-Schaltschützen anzubieten. Das
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: • bb53tm □ □ Eb7T3 bS2 H A P X N AMER PHILIPS/DISCRETE BZW 03 S E R IE S b^E D REGULATOR DIO DES Glass passivated diodes in hermetically sealed axial-leaded glass envelopes. They are intended for use as voltage regulator and transient suppressor diode in medium power regulation and transient suppression
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bb53t
03-C510
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BZW+20
Abstract: No abstract text available
Text: SG S-ÏHO M SO N mœmieraiMOSS BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER: 600 W 10/IOOQus ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME ■ UL RECOGNIZED
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BZW06-5V8/376
BZW06-5V8B/376B
10/IOOQus)
BZW+20
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SG S-ÏHO M SO N mœmieraiMOSS BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B TRANSIL FEATURES • PEAK PULSE POWER: 400 W 10/IOOQus ■ STAND-OFF VOLTAGE RANGE: From 5.8V to 376 V ■ UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES ■ LOW CLAMPING FACTOR ■ FAST RESPONSE TIME ■ UL RECOGNIZED
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BZW04-5V8/376
BZW04-5V8B/376B
10/IOOQus)
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diode sy 162
Abstract: SC236D 6P14P diode sy SF 127 C GF147S 6D22S 6P45S ECC88 6n23p
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN DUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN iR iU ii 1r a d i o - t e i e v i s l o n I SEITE JUNI 1 9 8 1 b 1 - 7 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / S SERVICE-ANLEITUNG zum Translstor-Taschenempfänger "Signal 402"
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LD275 led
Abstract: MARKING 73 LD275 A235L SFH 567 siemens LD LD274
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 LD 275 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Sehr enger Abstrahlwinkel LD 274 • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
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LD274
LD275
A23SbG5
DGS777L
2741re!
235b05
D0S7777
LD275 led
MARKING 73
LD275
A235L
SFH 567
siemens LD
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: N AMER PHILIPS/DISCRETE TDD D bb53T 31 0010L iT2 h • BZW 86 S E R IE S T " TR A N S IE N T SUPPRESSO R DIODES A ran g e of diffused silicon diodes in a DO-30 m etal envelope intended for u se in the p r o tectio n of the e le c tric a l and elec tro n ic equipm ent ag a in st voltage tra n sie n ts.
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bb53T
0010L
DO-30
BZW86-7V5
BZW86-7V5R
bti53T31
001D701
bb53T31
0D10703
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JUPITER-202
Abstract: TESLA NU 73 oc26 tesla potentiometer KC 508 service-mitteilungen jupiter 202 Radio Fernsehen Elektronik radio fernsehen KC508
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN r a d Io - television 1/75 V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N AUSGABE: SEITE JANUAR 1-6 Mithören ist bei Aufnahme über die Lautsprecher oder einen Kopfhörer möglich. Eine besonders gute Wieder
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JUPITER-202
III/18/379
TESLA NU 73
oc26
tesla potentiometer
KC 508
service-mitteilungen
jupiter 202
Radio Fernsehen Elektronik
radio fernsehen
KC508
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A277D
Abstract: applikation heft A225D "halbleiterwerk frankfurt" VQA 13 VQA13 information applikation A302D Transistoren DDR halbleiterwerk
Text: J motkr^elel-ctsnonH-c Information Information - Applikation v : 1 . •' LEDAnsteuerungsscbaltkreis A 277 D * Eigenschaften und Einsatzmöcjlichkeiten - M ikroelektronik H eft 10 v e b h albleiterw erk fr a n k fu r t/ o d e r laitbetrieb im veb Kombinat mikraelektronik
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik a2030h Halbleiterbauelemente DDR mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt"
Text: m ö I k F ^ e le l- c t s n o n ik Information Applikation K»D :z i= ä B lB k c fc 3 n c 3 r iik Information Applikation H e f t : 27 ! Integrierter NF-Verstärker A 2030 H/V veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER TECHNIK
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information applikation
Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
Text: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik
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E412D
Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
Text: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der
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information applikation
Abstract: information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation applikation heft A109D mikroelektronik DDR a 109 opv VEB mikroelektronik schaltungen 861 TAA 761 A
Text: m D ^ a r ^ i e l e l Information Applikation - c t e n a n i l - c m ik ^ o e le k t3r*anik Information Applikation Heft 22: OPERATIONS-VERSTÄRKER- IS Teil 2 veb halbleiterwepk fran k fu rt/o d er im v e b k o m b i n a t m ik ro e le k tro n U c KAMMER DER TECHNIK
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