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    LEISTUNGSTRANSISTOREN Search Results

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    216-CB

    Abstract: MICA WAFER snap RIVET msts boitier to3 to220 mica 212-CB cb mica Leistungstransistor
    Text: Montagesätze zur Isolation von Leistungstransistoren Mounting kits for insulation of power transistors MST 3 Art. Nr. Art. No. Art. n° MST 220 Ausführung Version Modele Gehäuse Case Boîtier Lieferumfang MSTS 220 Contents of delivery Matériel livré 1 Glimmerscheibe bzw.


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    of mosfet BUZ 384

    Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
    Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range


    Original     		PDF MIL-STD-883, MIL-STD-883; of mosfet BUZ 384 BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR

    BUW58

    Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
    Text: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu­ sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch


    OCR Scan     		PDF Q62702-U263 Q62702-U262 Q62702â Q62901-B11-A Q62901-B50 BUW58 BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263

    l 129 v

    Abstract: BD129 bd127 128bd bd128 0477A2 BD 127 V2412 127BD TFK BD 128
    Text: BD 127 BD 128 BD 129 'V Silizium-NPN-Planar-Leistungstransistoren Silicon NPN Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein bei hohen Betriebsspannungen Applications: General at high supply voltages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage


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    BD237

    Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
    Text: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power


    OCR Scan     		PDF 2DIN125A 150mA1) BD237 BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors

    BD436

    Abstract: BD 434 B0436 d341 LT 436 BD434
    Text: BD 434 - BD 436 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannung speziell für Autoradiobetrieb Features: • Low supply voltage especially tor automobil radio


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    tfk 135

    Abstract: bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135
    Text: V BD 135 • BD 137 • B D 139 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anw endungen: Allgemein Im NF-Bereich Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W


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    TRR25-10XX2

    Abstract: TRR 100-12xx2 transistor c282 trr 30-06xx2 TRANSISTOR BIPOLAIRE 75-10xx2 06XX2 50-10XX2 5012-X ISOLA DE 156
    Text: A S E A B R Oü JN /AB B □□40300 S.ENICOÎ' □□□□SOS Transistor-Module T R R . Transistor-Modules TRR. 2 Leistungstransistoren mit 2 Freilaufdioden 2 Power transistors with 2 free wheeling diodes 1 J V - 5 3 ' o I Transistor Type/Type ATRR ATRR


    OCR Scan     		PDF 25-10xx2 30-06xx2 50-06XX2 50-10xx2 50-12XX2 75-10x 200-10XX2 300-10xx2 10-04L5 TRR25-10XX2 TRR 100-12xx2 transistor c282 trr 30-06xx2 TRANSISTOR BIPOLAIRE 75-10xx2 06XX2 5012-X ISOLA DE 156

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen das aktuelle Produktspektrum der SIPMOS-Leistungstransistoren und Di­ oden vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen, Verbesserungen und W eiterentwicklungen auf diesem Ge­ biet. Mit der Herausgabe dieses Buches wer­


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    leistungstransistoren

    Abstract: bup314d buz 342 G siemens 230 95 O BUP 307D BUZ,350 BUZ,271 BUP400D bup313d BUP314
    Text: SIEMENS Gehäuseübersicht Package Information N-Kanal Leistungstransistoren N Channel Power Transistors D i A PN \ ° s TO-220 AB *D S ^ D S o n V 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 60 60 60 60 60 100 100 100 100 100 100 100 100 Q 10 18 23 28 m


    OCR Scan     		PDF O-220 BUZ12A BUZ11S2 BUZ10S2 O-218 346S2 BUP410D leistungstransistoren bup314d buz 342 G siemens 230 95 O BUP 307D BUZ,350 BUZ,271 BUP400D bup313d BUP314

    siemens dioden

    Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
    Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .


    OCR Scan     		PDF SIL00001 MILSTD-883, siemens dioden leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter

    siemens BSM b2

    Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
    Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET


    OCR Scan     		PDF B152-B6299-X-X-7400 siemens BSM b2 smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R

    siemens dioden

    Abstract: siemens datenbuch
    Text: SIEMENS SIPMOSHalbleiter Leistungstransistoren und Dioden Datenbuch 1993 / 94 SIPMOS Semiconductors Power Transistors and Diodes Data Book 1993 / 94 Herausgegeben von Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, Balanstraße 73, 81541 München.


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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: ASSMANN Transistor-Fassungen E le ctro n ic C o m p o n e n ts Fassungen fur Leistungstransistoren im Gehause Sockets Transistor-Fassungen Transistor sockets for power-transistors TO-3 „ 010.3 * 40 -3 0 ,2 22.5 - M 3 {2 x R 0,5 •£ 5,08 Art. Nr. Part no.


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    BC 677

    Abstract: Tfk 680 BD675 bc 681 BD677 BD681 BD 677 BD 681 2DIN125A 2mA80
    Text: V BD 675 • BD 677 • BD 679 •BD 681 Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistoren Silicon NPN Darlington Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Sehr hohe Stromverstärkung Features: • Very high current transfer ratio


    OCR Scan     		PDF BD675 BD677 BD679 BD681arecomple-mentà BD678, BD680, BD682 mentarytoBD676 BD678 BD680 BC 677 Tfk 680 bc 681 BD681 BD 677 BD 681 2DIN125A 2mA80

    BD NPN transistors 177

    Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a
    Text: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range


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    buy 95

    Abstract: BUY77 U151 BUY78 BUY79 Q62901-B11-A Q62901-B50
    Text: BUY 77 BUY 78 BUY 79 NPN-Silizium -Leistungstransistoren B U Y 77, B U Y 78 und B U Y 79 sind dreifachdiffundierte NPN-Siiizium-Leistungstransistoren im Gehäuse 3 A2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren eignen sich besonders als schnelle Leistungsschalter bei hohen Spannungen,


    OCR Scan     		PDF BUY77, BUY78 BUY79 Q62702-U151 Q62702-U152 Q62702-U153 Q62901-B11-A Q62901-B50 buy 95 BUY77 U151 Q62901-B50

    BD441

    Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439
    Text: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power


    OCR Scan     		PDF N125A BD441 bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439

    A1306 TRANSISTOR

    Abstract: t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor
    Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E J> • -fZ 3 ? - û l ÔB3SbQS DOlSfciBR û BISIEG Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancement types in plastic package T0-220 AB Typ Type ^DS max fc(max)


    OCR Scan     		PDF O-220 T0-220 C67078- A1300-A2 A1329-A2 A1301-A2 BUZ11 A1301-A3 A1330-A3 A1331-A2 A1306 TRANSISTOR t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor

    transistor buz 36

    Abstract: A1301 transistor Z346 z309 A3206A A1306A z326 A1320A A1610-A2 Z22A
    Text: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E D • 7 ^ 3*7-0/ ô23StQS QOlSbBS ö « S I E G Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancem ent types in plastic package TO-220 AB Typ Type ^DS max V A


    OCR Scan     		PDF 23StQS T0-220 O-220 BUZ10S2 Z72AL Z73AL O-218 transistor buz 36 A1301 transistor Z346 z309 A3206A A1306A z326 A1320A A1610-A2 Z22A

    N 341 AB

    Abstract: N 344 AB BUZ22 BUZ,350 8a5c buz341 C67078-S1406-A2
    Text: SIEMENS SIPMOS*Leistungstransistoren SIPMOS* Power Transistors N-Kanal-Anreicherungstypen N channel enhancement types Typ Type Bestellnummer Ordering code Gehäuse Package Bild Figure 125 C67078-S1020-A2 TO-204 AA 4 40 C67078-S1316-A2 10-220 AB 8a 40 C67078-S1316-A3


    OCR Scan     		PDF C67078-S1020-A2 C67078-S1316-A2 C67078-S1316-A3 C67078-S1348-A2 C67078-S1350-A2 C67078-S1351-A2 C67078-S1352-A2 C67078-S1353-A2 C67078-S3125-A2 C67078-S3120-A2 N 341 AB N 344 AB BUZ22 BUZ,350 8a5c buz341 C67078-S1406-A2

    KT920A

    Abstract: KT920B KT907A KT904A KT610A KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A
    Text: FUNKAM ATEUR - Bauelementeinformation VT Hochfrequenz-Leistungstransistoren aus der Sowjetunion Daten gebräuchlicher sowjetischer HF-Leistungstransistoren Typ Ucmi U cl.» CcAV M [V] [V] [A] [A] IW- Pu« [K/W] [W] fr Pom [MHz] [W] v P Bemer­ f.w [MHzj [dB] kungen


    OCR Scan     		PDF KT610A KT610S KT61IIA-2 T610B-2 KT904A KT904B KT907A KT904E T911A KT920A KT920B KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A

    inhalt liste

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS Inhalt Inhaltsverzeichnis Table of Contents Seite Content Page Typenübersicht Selection Guide SIPMOS-Leistungstransistoren.9 IGBT-Transistoren. 12 FRED Schnelle Dioden.13 SIPMOS Power Transistors.9


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    BUP 312

    Abstract: buz 91 f BUP 303 IGBT DIODE BUZ 537 BUP 203
    Text: SIEMENS Typenübersicht Selection Guide Leistungstransistoren Typ Type • BUZ 10 ■ BUZ 10L ■ BUZ10S2 ■ BUZ 11 ■ BUZ11A ■ BUZ11S2 ■ BUZ 11 AL ■ BUZ 12 ■ BUZ12A ■ BUZ 12AL BUZ 20 BUZ 21 BUZ 21L BUZ 22 BUZ 30A BUZ 31 BUZ 31L BUZ 32 BUZ 40B


    OCR Scan     		PDF BUZ10S2 BUZ11A BUZ11S2 BUZ12A O-220 O-218 BUP 312 buz 91 f BUP 303 IGBT DIODE BUZ 537 BUP 203