Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM14468AA-N •General description ■Features ELM14468AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=11.6A (Vgs=10V) Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
|
Original
|
ELM14468AA-N
ELM14468AA-N
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM14468AA-N •概要 ■特長 ELM14468AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=11.6A Vgs=10V ・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
|
Original
|
ELM14468AA-N
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM14468AA-N •General description ■Features ELM14468AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=11.6A (Vgs=10V) Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V)
|
Original
|
ELM14468AA-N
ELM14468AA-N
|
PDF
|
ELM14468AA
Abstract: 116a
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM14468AA-N •概要 ■特点 ELM14468AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=11.6A Vgs=10V ·Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 22mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值
|
Original
|
ELM14468AA-N
ELM14468AA
116a
|
PDF
|