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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Dual P-channel MOSFET ELM14803AB-N •General description ■Features ELM14803AB-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • Vds=-30V Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on) < 46mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 74mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM14803AB-N ELM14803AB-N
ELM14803AB Abstract: No abstract text available Text: 双 P 沟道 MOSFET ELM14803AB-N •概要 ■特点 ELM14803AB-N 是 P 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=-30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=-5A Vgs=-10V ·Rds(on) < 46mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 74mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM14803AB-N ELM14803AB
Untitled Abstract: No abstract text available Text: デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM14803AB-N •概要 ■特長 ELM14803AB-N は低入力容量低電圧駆動、低・ Vds=-30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー・ Id=-5A Vgs=-10V MOSFET です。	Original	PDF	ELM14803AB-N 1m03A
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Dual P-channel MOSFET ELM14803AB-N •General description ■Features ELM14803AB-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • Vds=-30V Id=-5A (Vgs=-10V) Rds(on) < 46mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 74mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM14803AB-N ELM14803AB-N