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Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM17600GA-S •概要 ■特長 ELM17600GA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=20V 性を備えた大電流 MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性
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ELM17600GA-S
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Text: Complementary MOSFET ELM17600GA-S •General Description ■Features ELM17600GA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on a n d l o w g a t e c h a rg e . I n t e r n a l E S D protection is included. • • • • • N-channel P-channel
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ELM17600GA-S
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Text: Complementary MOSFET ELM17600GA-S •General Description ■Features ELM17600GA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on a n d l o w g a t e c h a rg e . I n t e r n a l E S D protection is included. • • • • • N-channel P-channel
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ELM17600GA-S
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复合
Abstract: ELM17600GA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM17600GA-S •概要 ■特点 ELM17600GA-S 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=20V P 沟道 ·Vds=-20V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=0.9A Vgs=4.5V
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ELM17600GA-S
复合
ELM17600GA
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