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Text: Single N-channel MOSFET ELM322806A-S •General description ■Features ELM322806A-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=60V Id=30A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM322806A-S
ELM322806A-S
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Text: Single N-channel MOSFET ELM322806A-S •General description ■Features ELM322806A-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=60V Id=30A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM322806A-S
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ELM322806A
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Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM322806A-S •概要 ■特点 ELM322806A-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=30A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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ELM322806A-S
ELM322806A
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Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM322806A-S •概要 ■特長 ELM322806A-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=30A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V)
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