P5504EDG
Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM32403LA-S •General description ■Features ELM32403LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-40V Id=-8A Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM32403LA-S
ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
P5504EDG
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM32403LA-S •General description ■Features ELM32403LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-40V Id=-8A Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM32403LA-S
ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
|
PDF
|
ELM32403LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特点 ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-40V ·Id=-8A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
|
Original
|
ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
ELM32403LA
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特長 ELM32403LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
|
Original
|
ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
|
PDF
|