P2504BDG
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32412LA-S •General description ■Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=12A Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
ELM32412LA-S
ELM32412LA-S
P2504BDG
O-252
JAN-17-2005
P2504BDG
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32412LA-S •概要 ■特長 ELM32412LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=12A ・ Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
ELM32412LA-S
P2504BDG
O-252
JAN-17-2005
|
PDF
|
ELM32412LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32412LA-S •概要 ■特点 ELM32412LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=12A ·Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
|
Original
|
ELM32412LA-S
O-252
JAN-17-2005
P2504BDG
ELM32412LA
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM32412LA-S •General description ■Features ELM32412LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=12A Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 45mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
ELM32412LA-S
ELM32412LA-S
P2504BDG
O-252
JAN-17-2005
|
PDF
|