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Text: Single N-channel MOSFET ELM34406AA-N •General description ■Features ELM34406AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7.5A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM34406AA-N
ELM34406AA-N
P2804BVG
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ELM34406AA
Abstract: p2804bvg
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM34406AA-N •概要 ■特点 ELM34406AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=7.5A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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ELM34406AA-N
P2804BVG
ELM34406AA
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p2804bvg
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Text: Single N-channel MOSFET ELM34406AA-N •General description ■Features ELM34406AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7.5A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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p2804bvg
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Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM34406AA-N •概要 ■特長 ELM34406AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=7.5A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM34406AA-N
P2804BVG
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