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Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34608AA-N •General Description ■Features ELM34608AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=60V Id=4.5A Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34608AA-N
ELM34608AA-N
P5806NVG
Oct-01-2004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34608AA-N •概要 ■特長 ELM34608AA－N は 低 入 力 容 N チャンネル P チャンネル 量 低電圧駆動、 低オン抵抗とい ・ Vds=60V う特性を備えた大電流 MOSFET ・ Id=4.5A
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Original
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ELM34608AA-N
ELM34608AAï
P5806NVG
Oct-01-2004
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复合
Abstract: ELM34608AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34608AA-N •概要 ■特点 ELM34608AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=60V P 沟道 ·Vds=-60V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=4.5A ·Id=-3.5A
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Original
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ELM34608AA-N
Oct-01-2004
P5806NVG
复合
ELM34608AA
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Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34608AA-N •General Description ■Features ELM34608AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=60V Id=4.5A Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V)
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ELM34608AA-N
ELM34608AA-N
P5806NVG
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