Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34806AA-N •概要 ■特長 ELM34806AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=40V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V)
|
Original
|
ELM34806AA-N
P2804HVG
AUG-19-2004
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM34806AA-N •General description ■Features ELM34806AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
ELM34806AA-N
ELM34806AA-N
P2804HVG
AUG-19-2004
|
PDF
|
ELM34806AA
Abstract: No abstract text available
Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM34806AA-N •概要 ■特点 ELM34806AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值
|
Original
|
ELM34806AA-N
AUG-19-2004
P2804HVG
ELM34806AA
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM34806AA-N •General description ■Features ELM34806AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
|
Original
|
ELM34806AA-N
ELM34806AA-N
P2804HVG
|
PDF
|