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Abstract: No abstract text available
Text: New Product News FA Wireless LAN Unit WE70 Reliable Wireless Ethernet for Harsh FA Environments Conforms to IEEE 802.11a/b/g Construct an Ideal Wireless LAN System for FA Applications! The FA Wireless LAN Unit manages FA sites with 3 solutions Wireless LAN systems
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Original
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11a/b/g
the44-7109/Fax:
847-843-7900/Fax:
6835-3011/Fax:
NL-2132
2356-81-300/Fax:
21-5037-2222/Fax:
N154-E1-01A
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Aluminum Electrolytic Capacitors/FA Aluminum Electrolytic Capacitors Type Radial Lead Radial, Low Impedance, 105°C FA EEU-FA FA Type: A (Radial Leads) Style: 04/JIS C 5141 Series: • Recommended Applications • Power supplies, lighting, robots, industrial controls,
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Original
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04/JIS
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2505
Abstract: GEO06968 GEO06969 Q62701-P5029 Q62701-P5030 Q62702-P1795 Q62702-P5034 R 2505
Text: SFH 2500/FA SFH 2505/FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2500/FA SFH 2505/FA 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Vorläufige Daten / Preliminary Data
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Original
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2500/FA
2505/FA
GEO06968
GEO06969
OHF00302
OHF00392
2505
GEO06968
GEO06969
Q62701-P5029
Q62701-P5030
Q62702-P1795
Q62702-P5034
R 2505
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R 2505
Abstract: FA 600 GEO06968 GEO06969 Q62701-P5029 Q62701-P5030 Q62702-P1795 Q62702-P5034
Text: SFH 2500/FA SFH 2505/FA 2.05 R 1.95 SFH 2500/FA SFH 2505/FA 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time -0.1.0.1 (3.2) 14.7 13.1
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Original
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2500/FA
2505/FA
GEO06968
GEO06969
OHF00302
OHF00392
R 2505
FA 600
GEO06968
GEO06969
Q62701-P5029
Q62701-P5030
Q62702-P1795
Q62702-P5034
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-10-20 Silicon PIN Photodiode in SMR Package Silizium-PIN-Fotodiode in SMR® Gehäuse Version 1.0 SFH 2500 FA, SFH 2505 FA SFH 2500 FA Features: SFH 2505 FA Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 400 nm to 1100 nm (SFH 2505) and 750nm bis 1100nm
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Original
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750nm
1100nm
2500FA/
2505FA)
D-93055
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SFH 309 FA
Abstract: SFH 309-3/4
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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Original
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D-93055
SFH 309 FA
SFH 309-3/4
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA SFH 300 SFH 300 FA Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 300 und bei 880 nm (SFH 300 FA)
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Original
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SFH213
Abstract: SFH213 FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
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Original
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400nm
1100nm
750nm
Q62702P0930
Q62702P1671
720-SFH213
SFH213
SFH213 FA
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LMP7721
Abstract: ph sensor LMP7715 LMP7721MA LMP7721MAX M08A ion chamber electrometer
Text: LMP7721 3 Femtoampere Input Bias Current Precision Amplifier General Description Features The LMP7721 is the industry’s lowest guaranteed input bias current precision amplifier. The ultra low input bias current is 3 fA, with a guaranteed limit of ±20 fA at 25°C and ±900 fA at
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Original
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LMP7721
LMP7721
ph sensor
LMP7715
LMP7721MA
LMP7721MAX
M08A
ion chamber
electrometer
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foto transistor
Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702P3598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität
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Original
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Q62702-P1667
Q62702-P3598
Q62702-Pany
foto transistor
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702P3598
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lichtschranke
Abstract: OHF01034 OHF01773
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
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Original
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400nm
1100nm
750nm
Q62702P0930
Q62702P1671
lichtschranke
OHF01034
OHF01773
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ion chamber
Abstract: LMP7715 LMP7721 M08A ph sensor
Text: LMP7721 3 Femtoampere Input Bias Current Precision Amplifier General Description Features The LMP7721 is the industry’s lowest guaranteed input bias current precision amplifier. The ultra low input bias current is 3 fA, with a guaranteed limit of ±20 fA at 25°C and ±900 fA at
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Original
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LMP7721
LMP7721
ion chamber
LMP7715
M08A
ph sensor
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sfh 309 IC
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •
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Original
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D-93055
sfh 309 IC
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ion chamber
Abstract: ph electrode LMP7721 ph sensor
Text: LMP7721 3 Femtoampere Input Bias Current Precision Amplifier General Description Features The LMP7721 is the industry’s lowest guaranteed input bias current precision amplifier. The ultra low input bias current is 3 fA, with a guaranteed limit of ±20 fA at 25°C and ±900 fA at
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Original
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LMP7721
LMP7721
ion chamber
ph electrode
ph sensor
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität
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Original
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Q62702-P1668
Q62702-P3600
Q62702-P16any
TRANSISTOR K 314
foto transistor
Q62702-P1668
Q62702-P1675
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opto P180
Abstract: P180 opto npn phototransistor sfh 309 foto transistor Q62702-P999 transistor 309 Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P859 Q62702-P941
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität
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Original
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LMP7721
Abstract: common base amplifier circuit designing lmp transimpedance TRANSIMpedance Amplifier LMP7721MAX M08A LMP7715 LMP7721MA ion chamber 900fA
Text: LMP7721 3 Femtoampere Input Bias Current Precision Amplifier General Description Features The LMP7721 is the industry’s lowest guaranteed input bias current precision amplifier. The ultra low input bias current is 3 fA, with a guaranteed limit of ±20 fA at 25°C and ±900 fA at
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Original
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LMP7721
LMP7721
common base amplifier circuit designing
lmp transimpedance
TRANSIMpedance Amplifier
LMP7721MAX
M08A
LMP7715
LMP7721MA
ion chamber
900fA
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Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1754
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TRANSISTOR K 314
Abstract: SFH 314 SFH314FA
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)
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Original
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Q62702P1668
TRANSISTOR K 314
SFH 314
SFH314FA
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Q62702P0180
Abstract: osram sfh 309 SFH 309 FA V Q62702P0941 OHF01121 foto transistor npn phototransistor sfh 309 transistor 309 GEOY6653 Q62702P3593
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
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Original
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transistor 313
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)
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Original
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Q62702P1667
transistor 313
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Alle Rechle vorbehallen/ 411 rights reserred 5 k 3 2 1 77,5 M3x10 D 2 Han EAV 16A 500V 6kV3 600V w _ _ _ _ _ _ _ [ _ p F Vi f / \ IV ^ r/M I V r/M I V r/M |V ^ r/M r/M i v r/M i v r/M I V r/M Imxrm V fA vA l v fA fA IV fA IV fA l v Ol IV fA fA
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M3x10
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2SK100
Abstract: 2SK2765 2SK2029-01LS 2sk1936 2SK1940 2sk2761 2SK196 2SK2082 2SK1082 2SK182
Text: MOSFET QUICK REFERENCE GUIDE -30V to 450V BY PACKAGE TYPE F-l: P A G E 11 FA P-IIA : FA P-I: P A G E 11 FA P-IIS : F-ll: P A G E 11 F-lll: FA P-II: P A G E 12 SU R FA C E MOUNT FA P-III: P A G E 15 FA P-IIIA A U TO : P A G E 16 FA P-IIIB : P A G E 16 F-V:
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T0-220
T0-220F15
2SJ472-01L
2SJ314-01L
2SJ473-01L
2SK2248-01L
2SK1942-01
2SK2770-01
2SK2528-01
2SK1944-01
2SK100
2SK2765
2SK2029-01LS
2sk1936
2SK1940
2sk2761
2SK196
2SK2082
2SK1082
2SK182
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: tii !&% SPRAGUE STANDARD CODES • STANDARD CODES STANDARD CAPACITANCE CODES* p ic o fa ra d s C ap. p ic o fa ra d s Cap. m ic r o fa r a d s p ic o fa ra d s Cap. m ic r o fa r a d s p ic o fa ra d s Cap. PF C ode (PF) C ode (m F ) (PF) C ode (m F ) (PF)
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256CK101X2TRA
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