Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A2626
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OHFD1781
Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
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Original
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEOY6075
GEOY6861
GEOY6075
GEOY6861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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1100nm
GEOY6861
GPLY7049
OHFD1781
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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OSRAM - Q62702-P2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P0084
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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GEOY6861
GEOY6861
Q62702-P1605
OHF00078
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GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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Q62702-P1605
GEOY6861
Q62702-P1605
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BP 104 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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OHF00078
Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und
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Original
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Q65110A2626
200any
OHF00078
Q65110A2626
GEOY6861
J-STD-020B
OHLA0687
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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D-93055
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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Original
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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BP104
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Q62702-P0084
Q62702-P2627
BP104
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JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: BP 104 FAS
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
BP 104 FAS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Q65110A2626
Q65110A4262
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BP 40 Datenblatt
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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D-93055
BP 40 Datenblatt
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns
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