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    GEXY6239 Search Results

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    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
    Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111


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    GEMY6050 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62 PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit


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    950nm PDF

    STR G 8654

    Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
    Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date


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    LD271LH

    Abstract: ld271
    Text: 2007-04-04 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Features: • • • • • • Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package T 1 3/4 Typical peak wavelength 950nm High reliability Available with two different lead lengths


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    950nm D-93055 LD271LH ld271 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203


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    GEXY6239 GEOY6645 PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar


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    TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

    Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
    Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com


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    GEXY6713 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code PDF

    diode 9306

    Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)


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    GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 diode 9306 FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992 PDF

    fototransistor BPW 39

    Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
    Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.


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    EN60825-1 GETY6091 GPLY6899 GPLY6880 fototransistor BPW 39 fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor PDF

    data sheet ld 271

    Abstract: ir dimmer circuits ir led datasheet hi-fi system touch dimmer IR 5MM LED OPTO LD 271 H A 69258 colour tv circuit OHRD1938
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit


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    950nm data sheet ld 271 ir dimmer circuits ir led datasheet hi-fi system touch dimmer IR 5MM LED OPTO LD 271 H A 69258 colour tv circuit OHRD1938 PDF

    GEXY6239

    Abstract: OHRD1938 LD271 Q62703Q0838
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit


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    950nm GEXY6239 OHRD1938 LD271 Q62703Q0838 PDF

    GEXY6239

    Abstract: OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838
    Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar


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    950nm GEXY6239 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 PDF

    INFRARED SENSOR LD 15

    Abstract: design opto interrupter GEXY6239 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 ir 271
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203


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