GMOY6074
Abstract: VCSEL die
Text: GaAs-IR-VCSEL-Chip 850 nm GaAs Infrared VCSEL Die (850 nm) F 496A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • Technologie basierend auf selektiver Oxidation Datenrate 1,25 Gbit/s Oberflächenstrahler
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Original
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850nm
GMOY6074
VCSEL die
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TO18 package
Abstract: VCSEL Reflective Optical Sensor design opto interrupter GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode TO18 ir diode VCSEL die bonding wavelength selective switch GMOY6074 OHF01182 Reflective Optical Sensor
Text: GaAs-Infrarot-VCSEL-Chip 850 nm GaAs Infrared VCSEL Chip (850 nm) F 0496A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • Technologie basierend auf selektiver Oxidation Sehr hohe Datenrate (GBit/s) möglich
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850nm
TO18 package
VCSEL Reflective Optical Sensor
design opto interrupter
GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode
TO18 ir diode
VCSEL die bonding
wavelength selective switch
GMOY6074
OHF01182
Reflective Optical Sensor
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GMOY6074
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-VCSEL-Chip 850 nm GaAs Infrared VCSEL Chip (850 nm) F 0496A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • Technologie basierend auf selektiver Oxidation Sehr hohe Datenrate (GBit/s) möglich
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VCSEL Reflective Optical Sensor
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Text: GaAs-Infrarot-VCSEL-Chip 850 nm GaAs Infrared VCSEL Chip (850 nm) F 0496A Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • Technologie basierend auf selektiver Oxidation Sehr hohe Datenrate (GBit/s) möglich
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