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    HALBLEITERBAUELEMENTE DER DDR Search Results

    HALBLEITERBAUELEMENTE DER DDR Result Highlights (5)

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    HALBLEITERBAUELEMENTE DER DDR Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type Document Tags PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
    Text: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Text: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    6x10x12 Halbleiterbauelemente DDR Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C PDF

    E412D

    Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
    Text: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der


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    B084D

    Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
    Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations­ verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter­ bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen


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    SAL 41

    Abstract: SMY52 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium GY100
    Text: FUNKAMATEUR-Tabellen Halbleiterbauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ Plot UDs U gs UGB V U DB mW V U dg Si-MOSFGT n-Kanal-Verarm ungstyp 20 SM 103 150 -1 5 /+ 5 SM 104 150 20 -1 5 /+ 5 U sb Id y 21 Bei V - U T Bei Re Id |aA T mA V erw endung A sc sc


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    SMY511 SMY52 SMY602 GY100 SAL 41 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: elektronik DDR Scans-048 Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator DSAGER00065 Leistungsdiode
    Text: Inhalt | Mailbox | Elektronik | Verkehr | Markt | Download | Geld | Suchen Pro-Elektron-Typenschlüssel Buchstabe A B C 1.Element 2.Element Halbleitermaterial Bauelement Germanium Silizium lichtemittierende Materialien D E F G H K L Diode Kapazitätsdiode


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
    Text: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
    Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
    Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs­ elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK


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    Funkamateur

    Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358
    Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren


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    il21E Funkamateur SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft
    Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k


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    BT 816 triac

    Abstract: ky 202 h thyristor thyristor aeg thyristor BBC CS 8-12 Halbleiterbauelemente DDR ky 201 thyristor tesla typ 202 thyristor thyristor AEG t 10 n 600 thyristor BBC thyristor BBC CS 0,6
    Text: electronica du/dt GT T AV t di/dt Günter Pilz Technische Daten von Thyristoren, Triacs und Diacs electrónica • Band 19G GÜNTER PILZ Technische Daten von Thyristoren, Triacs und Diacs MILITÄRVERLAG DER DEUTSCHEN DEMOKRATISCHEN REPUBLIK I. Auflage {(j) Militär vorlag


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft B556D Amateurreihe B555d mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 12
    Text: s i ' n n i ö k ü ^ t ' Q l B l - c t j n n n i l - c KBD Information Applikation KID m o t k ^ o e S e k t s n o r r ik Information Applikation Heft 33 = Z e itg e b e r-1S B555/B556 vob HalbleiterwerkfronWFürt/ôder* IimvobkombtnaCmikrooloktronik ¡if!JKAMMER DER TECHNIK


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    B555/B556 500er Halbleiterbauelemente DDR information applikation applikation heft B556D Amateurreihe B555d mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 12 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft
    Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik a2030h Halbleiterbauelemente DDR mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt"
    Text: m ö I k F ^ e le l- c t s n o n ik Information Applikation K»D :z i= ä B lB k c fc 3 n c 3 r iik Information Applikation H e f t : 27 ! Integrierter NF-Verstärker A 2030 H/V veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER TECHNIK


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation MAA725 information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR applikation heft
    Text: LnnJütkilr'l; E l d - t = n a | - | i l - C Information Applikation D/A WandlerFamilie wvReferenz Stromquellen­ schalter /« Widerstands­ netzwerk 1 J • -CCI w f f i ni ö l k ä r i' t s i s l s S - t f c s n o r i i l - t i iforma t l o n pplikation


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
    Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
    Text: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei


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    information applikation

    Abstract: U880D information applikation mikroelektronik Halbleiterbauelemente DDR "Mikroelektronik" Heft u880 mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik mikroelektronik information applikation mikroelektronik DDR
    Text: i« ¡ 2 Information Applikation t m f f i ^ o e l e k t s n o •/ Information Applikation n • Heft 30: HALBLEITERSPEICHER Teil 2 SRAM und DRAM v e b halbleiterw erk frankfurfc/odor KBD im veb Kombinat mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksverbond


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    T112-16

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
    Text: Di vorliegenden Datenblätter dienen nur sur- Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können keine Liefer- oder ProduktVer­ bindlichkeiten abgeleitet werden*


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    DDR-1035 T112-16 Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog PDF

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: information applikation tda 4100 a4100d "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft meuselwitz FM -piezofilter Halbleiterbauelemente DDR A244D
    Text: m o tk ^ ^ e le lK to n c in il-« Inform ation Applikation i m ö O ^ i r ^ e l B l - c b n Inform ation Applikation 3 9 H E F T A 4 10 0 s D AM-FM-Empfänger-IS + A 45 + 1 0 D P LL-Stereodekoder-IS + + Empfängerkonzept veto hatotaftsarvwerk frankfurC/c


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    diode SY 192

    Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
    Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«


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    selen-gleichrichter

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
    Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN­ FREIFLÄCHEN­ GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech­ nischen Angaben, die durch die Weiter­


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    59/71/D selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
    Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)


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    R-1035 Halbleiterbauelemente DDR transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR PDF