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    HALBLEITERWERK Search Results

    HALBLEITERWERK Datasheets (106)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    04A657 Halbleiterwerke der DDR Germanium Diodes and Transistors Scan PDF
    2GA109 Halbleiterwerke der DDR Germanium Diodes and Transistors Scan PDF
    2GA113 Halbleiterwerke der DDR Germanium Diodes and Transistors Scan PDF
    2GC121 Halbleiterwerke der DDR Germanium Diodes and Transistors Scan PDF
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    4GA114 Halbleiterwerke der DDR Germanium Diodes and Transistors Scan PDF
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    HALBLEITERWERK Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    information applikation

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
    Text: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder


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    selen-gleichrichter

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb
    Text: CD AUSGABE GO 1971 I 5 2 CD • M H CD CD CD ■ SELEN­ FREIFLÄCHEN­ GLEICHRICHTER Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Gleichrichterwerk Großräsdien Information 20-1-71 Änderungen der allgemeinen und tech­ nischen Angaben, die durch die Weiter­


    OCR Scan     		PDF 59/71/D selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR selengleichrichter selenkleinstgleichrichter "halbleiterwerk frankfurt" Kombinat VEB A 301 RG 403 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt ddr veb

    MH1SS1

    Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
    Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik


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    Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik


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    MH 74141

    Abstract: Tesla katalog MH74S04 MH74188 information applikation MH74S287 mikroelektronik RFT CDB404E ucy 74132 MZH 115
    Text: m o N r ^ e le l- c fe n a n il- c Information Applikation ._ B|B Information Applikation Heft 26: IMPORT-IS Teil 2 i ' . • fbkj veb Halbleiterwerk frankfurt/oder Ü B d batriab im vab ko m binat mfcr m M ftrnnllt DER TECHNIK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    Mikroelektronik Heft

    Abstract: information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik applikation A290D applikation heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION INTEGRIERTER PLLSTEREO-DEKODER 220n A 290 n v /50 mA m m K m Information-Applikation Aufbau, Funktionsweise und Anwendung des integrierten PLL-StereodekoderSchaltkreises A 290 D Mikroelektronik Heft 3 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder


    OCR Scan     		PDF 47/uF Mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik applikation A290D applikation heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation

    BD512 mosfet

    Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512
    Text: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik a2030h Halbleiterbauelemente DDR mikroelektronik applikation A2030 VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt"
    Text: m ö I k F ^ e le l- c t s n o n ik Information Applikation K»D :z i= ä B lB k c fc 3 n c 3 r iik Information Applikation H e f t : 27 ! Integrierter NF-Verstärker A 2030 H/V veb Halbleiterwerk frankfurt/oder batrSob im veb kcm binat mikroolaktronik Es K A M M E R DER TECHNIK


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    B511N

    Abstract: information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 511N Temperatursensor Temperatur/Strom-Wandler-IS Applikationshinweise TGL 42933 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter (Bedingungen) Kurzzeichen min. max. Betriebsspannung (zwischen 1 und 3)


    OCR Scan     		PDF B511N, B511N information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation "halbleiterwerk frankfurt" B589N FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation schlenzig Funkamateur 4 bis 20 mA stromquelle

    B2761D

    Abstract: B861 13001 s B4761D B861D SR 13001 TAA2761 TCA321 TCA311 TAA 2761 A
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B 61t . . . 4 7 6 5 D Bipolare Operationsverstärker Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt O. TGL 38925 Kurzcharakteristik Grenzwerte1 P aram eter (B edingungen) Typ B etriebsspannung K u rzzeichen m in. m ax. —U cc2


    OCR Scan     		PDF B611D BS31D 10-UcclV] 57l022357103f 57W2Z357W32357lOuf B2761D B861 13001 s B4761D B861D SR 13001 TAA2761 TCA321 TCA311 TAA 2761 A

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog
    Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT­ BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft B556D Amateurreihe B555d mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 12
    Text: s i ' n n i ö k ü ^ t ' Q l B l - c t j n n n i l - c KBD Information Applikation KID m o t k ^ o e S e k t s n o r r ik Information Applikation Heft 33 = Z e itg e b e r-1S B555/B556 vob HalbleiterwerkfronWFürt/ôder* IimvobkombtnaCmikrooloktronik ¡if!JKAMMER DER TECHNIK


    OCR Scan     		PDF B555/B556 500er Halbleiterbauelemente DDR information applikation applikation heft B556D Amateurreihe B555d mikroelektronik Heft information applikation mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 12

    information applikation

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft CDB4151 mikroelektronik Heft 12 MH8475 MH7442 Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik CDB4153
    Text: ' 1 o lE h f c p o n ih Information Applikation s o c h a lH ü n o n il- c Information Applikation HEFT 25 I M P O R T - I S T E IL 1 Ivob Halbleiterwerk frankfurt/ader | b e trie b im m b kom binat m ikroelektronik ] KAMMER DER TECH N IK I Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    information applikation

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft A4100D "Mikroelektronik" Heft applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik
    Text: m o N n ^ e le l-c te n o r iil-c Kp Information Applikation m L r r t l k < I r J[ S J E 2 l E l - < f c i r ,a r - | i t < Information Applikation H e f t : 40 L S - T T L - R e l h e Teil 1 ueb Halbleiterwerk frankfurt /oder* b o t r - ie b im v e t k o m b m a t m ik r o o le k t r o n « k


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    information applikation

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation"
    Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,


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    E355D

    Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
    Text: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20


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    information applikation

    Abstract: applikation heft A109D a 109 opv information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "information applikation" "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft
    Text: I 1 I 'li Information Applikation OPERATIONS VERSTÄRKER •lit J m ■ liUf [ f ^ a lk a r a ^ E lo k c t s n a n il- c Information Applikation Heft 21: OPERATIONS-VERSTÄRKER-IS T e ill veb halbleiterwerk frankfurt/oder im v e b k o m b in a t m ik ro e le k tro n ik


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    b342d

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik Transistoren DDR VEB mikroelektronik "information applikation" mikroelektronik Heft 10 ITT transistoren
    Text: m n t k if ^ s j e le lK t e n a r iH - c g|B Information Applikation in n f B = a n iis ö lH W b n a n lK Information Applikation Heft: 28 Transistorarrays Iweb Halbleiterwerk frankfurt/oder | betrieb im veto kombinet mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksvorstand Frankfurt/O.


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    B589N

    Abstract: B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation B589N Temperaturkompensierte Referenzspannungsquetle Applikationshinweise TG L 42934 Hersteller: VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder Kurzcharakteristik Grenzwerte P aram eter Kurzzeichen Betriebsstrom (von 1 nach 3) Umgebungstemperatur


    OCR Scan     		PDF B589N B511N, B511N information applikation mikroelektronik B589 "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation 4 bis 20 mA Schaltkreis halbleiterwerk mikroelektronik applikation

    SF 829 B

    Abstract: SF829 SF819 SF827 sf 829 d SF126 SF826 sf829c SF816 SF 827 d
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementemformation Silizium-npn-Transistoren in Epitaxie-Planar-Technologie SF 826 SF827 SF 828 SF 829 Hersteller: V EB Halbleiterwerk Frankfurt Oder TG L 43386 Kurzcharakteristik Grenzwerte (im Betriebstemperaturbereich) Parameter (Bedingungen)


    OCR Scan     		PDF SF827 SF829 SF82B SF82S SF 829 B SF819 sf 829 d SF126 SF826 sf829c SF816 SF 827 d

    RFT HiFi

    Abstract: STRALSUND VEB mikroelektronik Belcanto ST 3010 granat 216 rft stern sensomat 3000 Sv-210 RFT RFT Stern Transit Stralsund 1002 HMK-V 100 Service
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U 8 T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N B !r a d i o -televisión AUSGABE: 1986 9-10 Seiba 1 - 8 E R S A T Z T B I L V E R S O R G Ü N G S F R I S T B N INLAND - G B R i l B S O R I I K E N I Hiermit veröffentlichen wir eine Übersicht der Geräte des InlandSortimentes, die z. Z. innerhalb der gesetzlichen Ersatzteilvei—


    OCR Scan     		PDF III/18/379 RFT HiFi STRALSUND VEB mikroelektronik Belcanto ST 3010 granat 216 rft stern sensomat 3000 Sv-210 RFT RFT Stern Transit Stralsund 1002 HMK-V 100 Service

    UEI 20 SP 010

    Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
    Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"


    OCR Scan     		PDF 64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher 086/11/B9 UEI 20 SP 010 Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


    OCR Scan     		PDF DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170