MCH3306
Abstract: ENN6900
Text: Ordering number : ENN6900 MCH3306 P-Channel Silicon MOSFET MCH3306 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167 [MCH3306] 0.25 • 0.3 0.15 2 0.65 0.25 1
|
Original
|
ENN6900
MCH3306
MCH3306]
MCH3306
ENN6900
|
PDF
|
SCH1302
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7532 SCH1302 P-Channel Silicon MOSFET SCH1302 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2221 [SCH1302] Top View 1.6 0.05 0.2 0.15
|
Original
|
ENN7532
SCH1302
SCH1302]
SCH1302
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
|
Original
|
EN8690
CPH5848
MCH3306)
SS10015M)
|
PDF
|
7552
Abstract: 2SJ658
Text: Ordering number : ENN7552 2SJ658 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ658 High-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2178 [2SJ658] 5.0 4.0 5.0 4.0 0.6 2.0 0.45 0.5 0.44 14.0
|
Original
|
ENN7552
2SJ658
2SJ658]
7552
2SJ658
|
PDF
|
CPH5802
Abstract: MCH3306 SBS004
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
|
Original
|
ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802
MCH3306
SBS004
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
|
Original
|
ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802/D
|
PDF
|
SCH1302
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 5 3 2 SCH1302 三洋半導体データシート N SCH1302 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
|
Original
|
SCH1302
900mm2
--10V
IT02757
900mm2
IT05691
IT05679
SCH1302
|
PDF
|
75522
Abstract: 2SJ658
Text: 注文コード No. N 7 5 5 2 2SJ658 三洋半導体データシート N 2SJ658 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
|
Original
|
2SJ658
--10V
IT02759
IT05565
IT05566
75522
2SJ658
|
PDF
|
CPH6315
Abstract: MARKING JR TA-3310
Text: Ordering number : ENN7018 CPH6315 P-Channel Silicon MOSFET CPH6315 High-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2151A [CPH6315] 0.15 2.9 5 4 0.6 6 0.2 • 0.6 1.6 2.8 0.05
|
Original
|
ENN7018
CPH6315
CPH6315]
CPH6315
MARKING JR
TA-3310
|
PDF
|
TA-3048
Abstract: CPH5802 MCH3306 SBS004
Text: 注文コード No. N 6 8 9 9 CPH5802 No. N 6 8 9 9 12201 新 CPH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
|
Original
|
CPH5802
MCH3306
SBS004
SBD12
600mm2
IT00623
IT00622
IT00624
IT00625
TA-3048
CPH5802
MCH3306
|
PDF
|
MCH3306
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 6 9 0 0 MCH3306 No. N 6 9 0 0 12201 新 MCH3306 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
|
Original
|
MCH3306
900mm2
--10V
IT02759
900mm2
IT02764
IT02765
MCH3306
|
PDF
|