SCH1406
Abstract: SCH2806
Text: SCH2806 注文コード No. N 7 7 4 4 三洋半導体データシート N SCH2806 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1406）
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Original
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SCH2806
SCH1406
SBS018
900mm2
TA-101080
IT06804
IT06805
IT06806
SCH1406
SCH2806
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1406 Ordering number : EN7749A N-Channel Silicon MOSFET SCH1406 General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage
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Original
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SCH1406
EN7749A
900mm2â
SCH1406/D
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MCH3405
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6940 MCH3405 N-Channel Silicon MOSFET MCH3405 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167 [MCH3405] 0.25 • Package Dimensions 0.3 0.15 2 0.65 0.25 1
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Original
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ENN6940
MCH3405
MCH3405]
MCH3405
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SCH1406
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1406 Ordering number : ENN7749 SCH1406 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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SCH1406
ENN7749
900mm2
SCH1406
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SCH1406
Abstract: SCH2806
Text: SCH2806 Ordering number : ENN7744 SCH2806 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET SCH1406 and a Schottky barrier diode (SBS018)
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Original
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SCH2806
ENN7744
SCH1406)
SBS018)
SCH1406
SCH2806
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VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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VEC2812
900mm2
N0806PE
TC-00000280
A0392-1/5
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2812
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CPH3417
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 7 1 2 4 CPH3417 三洋半導体データシート N CPH3417 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
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Original
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CPH3417
900mm2
900mm2
IT03881
IT03879
CPH3417
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1d1250
Abstract: CPH3417
Text: Ordering number : ENN7124 CPH3417 N-Channel Silicon MOSFET CPH3417 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2152A [CPH3417] 2.9 0.15 0.6 0.4 0.2 • Package Dimensions 3 2 1
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Original
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ENN7124
CPH3417
CPH3417]
1d1250
CPH3417
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MCH3405
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 6 9 4 0 MCH3405 No. N 6 9 4 0 33001 新 MCH3405 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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MCH3405
900mm2
IT02989
IT02988
IT02987
IT02993
MCH3405
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SCH1406
Abstract: 751TA
Text: SCH1406 注文コード No. N 7 7 4 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7749 をさしかえてください。 SCH1406 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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SCH1406
N7749
900mm2
IT02985
IT02990
900mm2
IT07148
SCH1406
751TA
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PDF
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VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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VEC2812
ENA0392
A0392-6/6
VEC2812
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SCH1406
Abstract: TA72
Text: SCH1406 Ordering number : EN7749A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET SCH1406 General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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SCH1406
EN7749A
900mm20
SCH1406
TA72
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PDF
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