MCH6631
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7444 MCH6631 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs MCH6631 Ultrahigh-Speed Switching Applications unit : mm 2173A [MCH6631] 0.3 4 0.25 2.1 • The MCH6631 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ONresistance and high-speed switching, thereby enabling
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Original
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ENN7444
MCH6631
MCH6631]
MCH6631
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WF24
Abstract: TA-3770 MCH6631
Text: 注文コード No. N 7 4 4 4 MCH6631 三洋半導体データシート N MCH6631 特長 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを
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Original
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MCH6631
900mm2
IT04360
IT04359
IT04355
900mm2
IT04362
WF24
TA-3770
MCH6631
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SCH2602
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2602 Ordering number : ENN8323 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2602 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The SCH2602 incorporates a N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON- resistance and high-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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SCH2602
ENN8323
SCH2602
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SCH2602
Abstract: TA-100972
Text: SCH2602 注文コード No. N 8 3 2 3 三洋半導体データシート N SCH2602 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗 , 高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
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Original
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PDF
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SCH2602
900mm2
IT04361
900mm2
IT04362
IT03293
SCH2602
TA-100972
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MCH3317
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7222 MCH3317 P-Channel Silicon MOSFET MCH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3317] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7222
MCH3317
MCH3317]
MCH3317
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