VEC2811
Abstract: 82871
Text: VEC2811 Ordering number : ENN8287 VEC2811 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
|
Original
|
PDF
|
VEC2811
ENN8287
VEC2811
82871
|
VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
|
Original
|
PDF
|
VEC2803
ENN8202
VEC2803
|
VEC2815
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2815 Ordering number : ENA0559 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
|
Original
|
PDF
|
VEC2815
ENA0559
A0559-6/6
VEC2815
|
VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
PDF
|
VEC2803
900mm2
12505PE
TB-00001017
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2803
|
VEC2612
Abstract: mosfet pch 3a 60v
Text: VEC2612 Ordering number : ENA0656 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2612 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2612 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
|
Original
|
PDF
|
VEC2612
ENA0656
VEC2612
A0656-6/6
mosfet pch 3a 60v
|
A0559
Abstract: VEC2815
Text: VEC2815 注文コード No. N A 0 5 5 9 三洋半導体データシート N VEC2815 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
PDF
|
VEC2815
900mm2
N2906PE
TC-00000344
A0559-1/6
IT09872
1000k
IT10608
A0559
VEC2815
|
VEC2811
Abstract: 82871
Text: VEC2811 注文コード No. N 8 2 8 7 三洋半導体データシート N VEC2811 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
PDF
|
VEC2811
900mm2
70505PE
TB-00001099
IT08571
IT08572
IT03090
VEC2811
82871
|
VEC2612
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2612 注文コード No. N A 0 6 5 6 三洋半導体データシート N VEC2612 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した
|
Original
|
PDF
|
VEC2612
900mm2
IT11983
IT02950
IT02949
900mm2
IT11984
VEC2612
|
VEC2302
Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB INVERTER BOARD SANYO
Text: VEC2302 Ordering number : ENN8026 P-Channel Silicon MOSFET VEC2302 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for inverter applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. 4V drive.
|
Original
|
PDF
|
VEC2302
ENN8026
900mm2
VEC2302
INVERTER BOARD SANYO TB
INVERTER BOARD SANYO
|
VEC2302
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2302 注文コード No. N 8 0 2 6 三洋半導体データシート N VEC2302 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ インバータ用途に最適。 ・ 低オン抵抗。 ・ 複合タイプであり高密度実装可能。
|
Original
|
PDF
|
VEC2302
900mm2
IT07775
--12A
900mm2
IT07776
IT07777
VEC2302
|