ECH8631
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8631 注文コード No. N 8 2 7 4 ECH8631 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・複合タイプであり高密度実装可能。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
|
Original
|
PDF
|
ECH8631
900mm2
IT09299
--40A
900mm2
IT09300
IT09301
ECH8631
|
MARKING FZ
Abstract: ECH8631
Text: ECH8631 Ordering number : ENN8274 P-Channel Silicon MOSFET ECH8631 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
|
Original
|
PDF
|
ECH8631
ENN8274
900mm20
MARKING FZ
ECH8631
|
ECH8631
Abstract: 2206B
Text: ECH8631 注文コード No. N 8 2 7 4 三洋半導体データシート N ECH8631 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・複合タイプであり高密度実装可能。
|
Original
|
PDF
|
ECH8631
900mm2
IT09299
--40A
900mm2
IT09300
IT09301
ECH8631
2206B
|
MARKING FZ
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8631 Ordering number : ENN8274 P-Channel Silicon MOSFET ECH8631 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
|
Original
|
PDF
|
ENN8274
ECH8631
900mm2
MARKING FZ
|