VEC2601
Abstract: A0933
Text: VEC2601 Ordering number : ENA0933 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2601 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • A composite type of a low on-resistance P-channel MOSFET and a small signal N-channel MOSFET for driving
|
Original
|
VEC2601
ENA0933
A0933-6/6
VEC2601
A0933
|
PDF
|
VEC2603
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2603 注文コード No. N A 0 9 3 4 三洋半導体データシート N VEC2603 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
|
Original
|
VEC2603
900mm2
--16A
IT09410
IT09411
900mm2
IT12932
IT12929
A0934-6/7
VEC2603
|
PDF
|
VEC2603
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2603 Ordering number : ENA0934 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2603 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • A composite type of a low on-resistance P-channel MOSFET and a small signal N-channel MOSFET for driving
|
Original
|
VEC2603
ENA0934
A0934-6/6
VEC2603
|
PDF
|
A0933
Abstract: VEC2601 TC-00000864
Text: VEC2601 注文コード No. N A 0 9 3 3 三洋半導体データシート N VEC2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の P チャネルおよび P チャネル MOS ドライブ用の小信号 N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを
|
Original
|
VEC2601
900mm2
--10V
900mm2
IT12928
IT12929
A0933-6/7
A0933-7/7
A0933
VEC2601
TC-00000864
|
PDF
|