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    MDT10P Search Results

    MDT10P Datasheets (90)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    MDT10P05 Micon Design Technology 8-bit micro-controller Original PDF
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    MDT10P21 Micon Design Technology 20/22/24 Pins ROM / 0.5K RAM / 73 Bytes More With MDT2005 Original PDF
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    MDT10P72

    Abstract: No abstract text available
    Text: MDT10P72 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static u CMOS technology process to achieve higher speed and -5 analog inputs multiplexed into one A/D smaller size with the low power consumption and high noise


    Original     		PDF MDT10P72 16-bit MDT10P72

    910U

    Abstract: ldr 6k MDT10P651
    Text: MDT10P651 1. General Description -CCP1, CCP2, SCM, USAR, USAT, PCM u TMR0 : 8-bit real time clock/counter This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static TMR1 : 16-bit real time clock/count CMOS technology process to achieve higher speed and TMR2 : 8-bit clock/counter internal


    Original     		PDF MDT10P651 16-bit 910U ldr 6k MDT10P651

    MDT10P432

    Abstract: S31-S38 mdt*10P432
    Text: MDT10P432 1. 概述 上电复位 内部 RC 432K, 440K, 455K, 480KHz 在 OPTION 这个 8 位基本内存控制器是一个集高速体积小、低功 里选择 耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。它包括 512 个字 系统时钟: 455KHz 晶振 OSC1 电容 50P; OSC2


    Original     		PDF MDT10P432 480KHz 455KHz PA0-78 Fosc/12 MDT10P432P11 MDT10P432S11 MDT10P432 S31-S38 mdt*10P432

    mdt10p621

    Abstract: No abstract text available
    Text: MDT10P621N AB 1. General Description -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static TMR0 : 8-bit real time clock/counter CMOS technology process to achieve higher speed and TMR1 : 16-bit real time clock/count smaller size with the low power consumption and high


    Original     		PDF MDT10P621N 16-bit oMDT10P621N 4Kx14 MDT10P621N) 192X8 mdt10p621

    MDT10P621

    Abstract: 20MHZ pa 4010 12OSC1
    Text: MDT10P621 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断


    Original     		PDF MDT10P621 PORTB74 20MHZ 200ns MDT10P 192X8 MDT10P621 20MHZ pa 4010 12OSC1

    MDT10P41A1P

    Abstract: 200H MDT10P41A1
    Text: MDT10P41A1 1. 概述 这个基于 EPROM 的 8 位控制器是一个集高 速体积小、低功耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。内部 RC 振荡器。 它包括 1K EPROM 和 31 字节静态 RAM。 2. 特点 集成 CMOS 静态设计方案


    Original     		PDF MDT10P41A1 MDT10P41A1P MDT10P41A1S 200H MDT10P41A1

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MDT10P72N AB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static A/D converter module: CMOS technology process to achieve higher speed and -5 analog inputs multiplexed into one A/D smaller size with the low power consumption and high


    Original     		PDF MDT10P72N 16-bit 2Kx14 MDT10P72N) 128X8

    12OSC1

    Abstract: MDT10P72 XT 4MHZ 20MHZ
    Text: MDT10P72 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 －A／D 转换完成


    Original     		PDF MDT10P72 PORTB74 20MHZ 200ns 128X8 12OSC1 MDT10P72 XT 4MHZ 20MHZ

    cf 455

    Abstract: MDT10P23
    Text: MDT10P23 CF 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology to achieve high speed, small size, low power and high noise immunity. On chip memory includes 2K words EPROM and80 bytes static RAM. Four comparator inputs with external Vref


    Original     		PDF MDT10P23 and80 14-bit MDT10P23 cf 455

    MDT10P62

    Abstract: MDT10P
    Text: MDT10P62 BB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed TMR0 : 8-bit real time clock/counter and smaller size with the low power consumption and


    Original     		PDF MDT10P62 16-bit MDT10P 128X8

    MDT10P65

    Abstract: MDT10P65A1Q MDT10P65A2Q MDT10P65SD42 RT 8284 N pd711
    Text: MDT10P65 1. General Description This OTP-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed and smaller size with the low power consumption and high noise immunity. On chip memory includes 4K words of EPROM, and 192 bytes of static RAM.


    Original     		PDF MDT10P65 Temperature25 MDT10P65 MDT10P65A1Q MDT10P65A2Q MDT10P65SD42 RT 8284 N pd711

    MDT2020

    Abstract: MDT2005 mdt2010e pic16c57 MDT10P21 MDT10P23 MDT2010 28PIN IC
    Text: MDT10P21/22/23 应用事项 MDT10P21/22/23 应用事项 一 使用 MDT10P2x 的优点: (1). MDT10P2x 价格较 MDT2020 低 è 可以降低成本. (2). MDT10P2x 体积较 MDT2020 小 è 可省 Layout 空间. (3). MDT10P2x I/O 较 MDT2005/MDT2010 多 è 可以多些控制.


    Original     		PDF MDT10P21/22/23 MDT10P2x MDT2020 MDT10P2x MDT2005/MDT2010 MDT2020 MDT2005 mdt2010e pic16c57 MDT10P21 MDT10P23 MDT2010 28PIN IC

    MDT10P05

    Abstract: IC TTL 4700
    Text: MDT10P05 BG 1.概述 这个 8 位基本内存控制器是一个集高速体 积小、低功耗和抗高噪声一体的静态 CMOS 芯片。它包括 0.5K ROM 和 32 字节静态 RAM。 四种可选振荡器起始定时器定时时间：150 s，20ms，40ms，80ms


    Original     		PDF MDT10P05 s20ms40ms80ms MDT10P05 20MHz 200ns IC TTL 4700

    20MHZ

    Abstract: 100nnn
    Text: MDT10P621N AB 1. 概述 －TMR0，TMR1，TMR2 时钟 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断


    Original     		PDF MDT10P621N PORTB74 MDT10P621N 20MHZ 200ns 4Kx14 MDT10P621N) 192X8 20MHZ 100nnn

    MDT10P721

    Abstract: 20MHZ
    Text: MDT10P721 BB 1. 概述 －A／D 转换完成 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断


    Original     		PDF MDT10P721 PORTB74 MDT10P721 20MHZ 200ns 192X8 20MHZ

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: MDT10P62N AB 1. General Description -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed TMR0 : 8-bit real time clock/counter and smaller size with the low power consumption and


    Original     		PDF MDT10P62N 16-bit 2Kx14 MDT10P62N) 128X8

    20MHZ

    Abstract: MDT10P62 12OSC1 MDT10P621
    Text: MDT10P62 .1. 概述 －CCP，SCM 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 TMR0 : 8 位时钟／记数器


    Original     		PDF MDT10P62 20MHZ 200ns PORTB74 1MDT10P 128X8 20MHZ MDT10P62 12OSC1 MDT10P621

    20MHZ

    Abstract: MDT10P721
    Text: MDT10P721 1. 概述 －A／D 转换完成 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 4K 字节 EPROM 和 192 字节静态 RAM。 －PORTB＜7：4＞电平变化中断


    Original     		PDF MDT10P721 PORTB74 20MHZ 200ns 192X8 20MHZ MDT10P721

    MDT10P621

    Abstract: MDT10P
    Text: MDT10P621 BB -PortB<7:4> interrupt on change -CCP,SCM 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS technology process to achieve higher speed and smaller size with the low power consumption and high noise immunity. On chip


    Original     		PDF MDT10P621 16-bit 192X8 MDT10P

    20MHZ

    Abstract: MDT10P62 MDT10P
    Text: MDT10P62 BB .1. 概述 －CCP，SCM 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静 态 CMOS 技术设计，集高速体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。内存包括 2K 字节 EPROM 和 128 字节静态 RAM。 TMR0 : 8 位时钟／记数器


    Original     		PDF MDT10P62 MDT10P62 20MHZ 200ns PORTB74 MDT10P 128X8 20MHZ

    MDT10P432

    Abstract: No abstract text available
    Text: MDT10P432 1. General Description relative addressing modes Power-on Reset This 8-bit Micro-controller with built-in carrier Internal RC 432K, 440K, 455K, 480KHz generator uses a fully static CMOS technology to select in option. achieve high speed, small size, low power and


    Original     		PDF MDT10P432 480KHz 455KHz MDT10P432

    K155A

    Abstract: MDT10P20 21PC3 200H 20MHZ 400H M230A k120a 6AR5
    Text: MDT10P20 BF 一 概述 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全静态 CMOS 技术设计，集高速、体积小、低功耗和 抗高噪声一体的芯片。 内存包括 2.0K 字节 ROM 和 80 字节静态 RAM。 二、 特点 如下是关于软硬件的一些特点：


    Original     		PDF MDT10P20 MDT10P20 20MHz 200ns 150us 10MHz K155A 21PC3 200H 20MHZ 400H M230A k120a 6AR5

    MDT10P7401

    Abstract: MDT10P7401L11 MDT10P7401P11 MDT10P7401Q11
    Text: MDT10P7401 1. General Description A/D converter module: -8 analog inputs multiplexed into one A/D This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static converter CMOS technology process to achieve higher speed and -10-bit resolution smaller size with the low power consumption and high


    Original     		PDF MDT10P7401 -10-bit 16-bit 120uA 100uA 1000ns MDT10P7401 MDT10P7401L11 MDT10P7401P11 MDT10P7401Q11

    200H

    Abstract: MDT10P22 1k BIT WORD STATIC RAM
    Text: MDT10P22 DF 1. General Description This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully static CMOS design technology to achieve high speed, small size, low power and high noise immunity. On chip memory includes 1K words EPROM and80 bytes static RAM. Four comparator inputs with external Vref


    Original     		PDF MDT10P22 and80 14-bit MDT10P22 200H 1k BIT WORD STATIC RAM