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    MDT10P55B3P Datasheets (1)

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    MDT10P55B3P Micon Design Technology 8-bit micro-controller Original PDF

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    MDT10P55B1S

    Abstract: MDT10P55B1P mdt10p55b3p MDT10P55B 000-3FF
    Text: MDT10P55B u Power-on Reset u Power edge-detector Reset This EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully u Sleep Mode for power saving static CMOS technology process to achieve higher u 5 types of oscillator can be selected by 1. General Description speed


    Original     		MDT10P55B 600uA 1000ns MDT10P55B1S MDT10P55B1P mdt10p55b3p MDT10P55B 000-3FF PDF

    MDT10P55B1S

    Abstract: mdt10p55b3p MDT10P55B MDT10P55B4P/MDT10P55B4S
    Text: MDT10P55B １ ． 概述 u 内部 ＲＡＭ 大小：７２ 字节 这个 ８ 位基于 ＥＰＲＯＭ 微控制器是由完全静 态 ＣＭＯＳ 技术设计，集高速体积小、低功 耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括 １Ｋ 字


    Original     		MDT10P55B MDT10P55B3P/MDT10P55B3S MDT10P55B4P/MDT10P55B4S MDT10P55B1S mdt10p55b3p MDT10P55B MDT10P55B4P/MDT10P55B4S PDF

    MDT10P55B1S

    Abstract: MDT10P55B1P mdt10p55b3p 000-3FF 20MHZ MDT10P55B 1111XXXX ldr 10k mdt10p55b2s
    Text: MDT10P55B 1. 概述 u 内部 RAM 大小：72 字节 这个 8 位基于 EPROM 微控制器是由完全 静态 CMOS 技术设计，集高速体积小、 低功耗和抗高噪声一体的芯片。内存包括 1K 字节 EPROM 和 72 字节静态 RAM。 u 36 条指令


    Original     		MDT10P55B 20MHZ 200ns MDT10P55B1P/MDT10P55B1S MDT10P55B3P/MDT10P55B3S 500uA MDT10P55B1S MDT10P55B1P mdt10p55b3p 000-3FF 20MHZ MDT10P55B 1111XXXX ldr 10k mdt10p55b2s PDF