MOS SPEICHER Search Results

MOS SPEICHER Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
TPHR7404PU	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 40 V, 0.00074 Ω@10V, SOP Advance, U-MOS-H
MG800FXF1JMS3	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch SiC MOSFET Module, 3300 V, 800 A, iXPLV, High-side: SiC SBD、Low-side: SiC MOSFET
TK190U65Z	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 650 V, 15 A, 0.19 Ohm@10V, TOLL
TK7R0E08QM	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-ch, 80 V, 64 A, 0.0070 Ohm@10V, TO-220AB
XPJ1R004PB	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-ch MOSFET, 40 V, 160 A, 0.001 Ω@10V, S-TOGL

MOS SPEICHER Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	Document Tags	PDF
smd-transistor DATA BOOK Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family Text: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	Original		PDF
bsm 25 gd 1200 n2 Abstract: bsm 75 gd 120 n2 siemens mosfet BSM 50 siemens igbt bsm 50 gd 120 n2 Thyristor Tabelle BSM15GD BSM15GD120DN 250068 BSM15GD120DN2 Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht IGBT-Module 1 Overview IGBT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V, 1200 V und 1700 V und im Strombereich	Original		PDF
of mosfet BUZ 384 Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR Text: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range	Original	MIL-STD-883, MIL-STD-883; of mosfet BUZ 384 BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR	PDF
IESS-308 standard Abstract: ASK Modulation by matlab book fm transmitter and receiver matlab TMS320 underwater modem vocoder gsm vselp matlab hema ta2 tms5700x aplications of text to speech tms320c500 TMS320C5000 Text: T H E W O R L D L E A D E R I N D S P S O L U T I O N S TI DSP THIRD-PARTY A P P L I C AT I O N S O F T W A R E G U I D E TMS320 Third-Party Application Software Guide IMPORTANT NOTICE Important Notice Texas Instruments TI reserves the right to make changes to its products or to discontinue	Original	TMS320 32bis TMS320C2000 IESS-308 standard ASK Modulation by matlab book fm transmitter and receiver matlab TMS320 underwater modem vocoder gsm vselp matlab hema ta2 tms5700x aplications of text to speech tms320c500 TMS320C5000	PDF
siemens Transistoren Abstract: induktive triac ansteuerung smd transistors SIPMOS application note BSS98 equivalent Siemens Halbleiter Bauelemente Siemens Halbleiter Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS® Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.	OCR Scan		PDF
SDA2006 Abstract: Q67100-Q264 earom P101 Text: Nichtflüchtiger Speicher 512 Bit EAROM SDA 2006 MOS-Schaltung Typ Bestellnum m er Gehäusebauform SDA 2006 Q 67100-Q 264 DIP 18 Allgemeine Eigenschaften • Elektrisch w ortw eise umprogrammierbarer, nichtflüchtiger Speicher in n-Kanal-FloatingGate-Technik	OCR Scan	Q67100-Q264 12-Bit-Steuerwort 12-Bit 12-Bit-Steuerwort) 12-Bit-Steuerv/ort) SDA2006 earom P101	PDF
information applikation Abstract: U2716C35 U214D30 U2732 V40511D K573P "information applikation" U2732C35 U555C 2732A INTEL Text: m o G ^ ^ e le l^ t e n o r iîl-i Information Applikation i m f l k F a i ° o l B l H t 3 n a r Information Applikation HEFT =41 MOS-Speicher 3 - E PROM v o b h a lb le it o r w r f c f r a n k f u r c / o d a r im v b ko m b in at m jkro a W tt r onMi KAMMER DER TECHNIK	OCR Scan		PDF
MSD 7818 Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN Text: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1	OCR Scan	6250b MSD 7818 MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN	PDF
MH1SS1 Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A Text: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik	OCR Scan		PDF
FZH 191 Abstract: FZJ 101 FZH 261 fzh 111 fzh 171 FZH111 FZH 101 FZH 161 fzh 141 fzh 281 Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. • VflLVO Professionelle Integrierte Schaltungen, Mikroprozessoren Produktprogramm Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die M ikroelektronik - entwickelt sich im m er rascher zum M otor für eine	OCR Scan	Integrie8510. FZH 191 FZJ 101 FZH 261 fzh 111 fzh 171 FZH111 FZH 101 FZH 161 fzh 141 fzh 281	PDF
BT diode Abstract: ECONOPACK mounting instructions bsm 25 gd 1200 n2 bsm 75 gd 120 n2 bsm 50 gd 120 n2 calculation of IGBT snubber siemens igbt BSM 200 GA 120 BSM15GD120DN2 diode bym 26 siemens igbt BSM 100 Text: Technische Angaben Technical Information SIEMENS 1 Übersicht IGBT-Module 1 O verview IG BT Modules Hochsperrende spannungsgesteuerte Bipolar-Module Insulated Gate Bipolar Transistor modules Produktpalette Product Range IGBT-Module mit den Spannungen 600 V,	OCR Scan		PDF
of mosfet BUZ 384 Abstract: simple SL 100 NPN Transistor leistungstransistoren ANALOG DEVICES bar code on the lable test transistors Siemens Dioden fgs npn Text: SIEMENS Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V . 1000 V und 10 m fi . 8 Q Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mQ to 8 Q range	OCR Scan	SIL00001 SIL00002 MILSTD-883, of mosfet BUZ 384 simple SL 100 NPN Transistor leistungstransistoren ANALOG DEVICES bar code on the lable test transistors Siemens Dioden fgs npn	PDF
siemens dioden Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .	OCR Scan	SIL00001 MILSTD-883, siemens dioden leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter	PDF
KN303 Abstract: n306a APM 2510 2SF100 C12S Scans-048 apm 2510 n KF190 silicium power transistor broadcas amplifier Text: nOAEBblE TPAH3HCTOPBI FIELD-EFFECT TRANSISTORS FELDEFFEKTTRANSISTOR EN TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP IST 2 riEPEHEHb TPAH3MCTOPOB LIST OF TRANSISTORS TRANSISTORENLISTE LISTE DE TRANSISTORS Grp. Page Knioir-KmoiE 11 Kni03E-Kni03M Kni03EP-KTI103MP 15 KriC104A-KnC104XI .	OCR Scan	KriC104A-KnC104XI KnC202A-KnC20 -Kn202E Kni03E-Kni03M Kni03EP-KTI103MP Kn201E-Kn201/l Kn301B Kn302A-Kn302r. Kn303A-Kn303H Kn304A. KN303 n306a APM 2510 2SF100 C12S Scans-048 apm 2510 n KF190 silicium power transistor broadcas amplifier	PDF

VOGT p8 Abstract: tic 2160 triac kaschke fi 270 uaa145 EQUIVALENT UAA145 "direct replacement" TDA1086T telefunken transistor Kaschke Components CQY40 UAA146 Text: Allgemeines General Seite Page • H I Schaltungen fur Rundfunkempfanger Circuits for radio receivers Seite Page Schaltungen fur die Signalverarbeitung in Fernsehempfangern Circuits for the signal processing in television receivers Seite ■ Page ■ Schaltungen fur Bedienungssysteme in Rundfunk- und	OCR Scan		PDF
74S487 Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195 Text: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170 Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.	OCR Scan	DOR102 Halbleiterbauelemente DDR GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr information applikation information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR SMY50 mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft Text: Information Applikation Fïn]o i=3rn(s]eiel-ctenoriil-c Information Applikation H E F T 56 : Verhalten von Elektronischen Baueleaenten bei E S D (Electrostatic discharge -Physikalische Grundlagen-Wi^kungen-Maßnahmen zum Schutz vor ESD- veb halbJoiterwork fronkfurt /oderb e t r ie b im v e b k o m b in a t m ik r o o t a k t r o m k	OCR Scan		PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR Text: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>\|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)	OCR Scan	R-1035 Halbleiterbauelemente DDR transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR	PDF
transistor 1Bs Abstract: 1BS transistor STD-S83C Text: H Y » 5 i 4 i ö 0 ö J / m -SQ¡f-QQj-fO A jm A J J n - x n _ _ _ 1 n a i d 4 i y 4 JU 4 X ï ' d i i u y n a m ic nM ivi u v e •i ■ U -t i c -iJ iJ in rtD i í J ■ ‘Í I U U f J L J j n / 1 H u t u C ¡ 7 w i V R w n A ~r _ d r n r c n j 7 n	OCR Scan	HYB514100SJ/ST HYB5144 883C1 /-4000V transistor 1Bs 1BS transistor STD-S83C	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: MAA 436 TESLA mikroelektronik applikation Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 IL709M mikroelektronik Heft MAA725 K553UD1A "Mikroelektronik" Heft Tesla katalog Text: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION K 159 INNENSCHALTUNG SONDERHEFT IMPORT BAUELEMENTE UDSSR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN INFORMATION-APPLIKATION SONDERHEFT IMPORTBAUELEMENTE INTEGRIERTE SCHALTUNGEN MIKROELEKTRONIK HEFT 6 veb Halbleiterwerk frankfurt oder	OCR Scan		PDF
triac tag 8518 Abstract: 70146 DS3654 X2864AD 7 segment display RL S5220 TC9160 la 4440 amplifier circuit diagram 300 watt philips ecg master replacement guide vtl 3829 A-C4 TCA965 equivalent Text: 1985 0 / 0 / CONTENTS VOLUME I Introduction to IC MASTER 3 Advertisers’ Index 8 Master Selection Guide Function Index I0 Part Number Index 40 Part Number Guide 300 Logo Guide 346 Application Note Directory 349 Military Parts Directory 50I Testing 506 Cross Reference	OCR Scan		PDF
information applikation Abstract: Mikroelektronik Information Applikation B305D B304D eft 317 transistor information applikation mikroelektronik B303D Kombinat VEB A 301 A301D "information applikation" Text: LnnJÖD=^Jj i ^ j s l E k t j P D n i k Information Applikation B 303 D B 304 D B 305 D B 306 D m ölkr^elel-ctsnariik Information Applikation Heft: 23 INITIATOREN-IS B303D- B 304D B 305D *B 306D VEB. Halbleiterwerk FrankfurtïOder im VEB Kom binat Mikroelektronik,	OCR Scan		PDF
information applikation mikroelektronik Abstract: information applikation A301D VEB mikroelektronik mikroelektronik applikation "halbleiterwerk frankfurt" Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" mikroelektronik DDR Kombinat VEB A 301 Text: ' \ INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Information-Applikation Aufbau, E igenschaften und Anwendung d e s integrierten Initiator-S chaltkreises A 301 D M ik ro e le k tro n ik H e ft 2 veb halblelterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb K om binat m ik ro elek tro n ik	OCR Scan		PDF

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bsm 25 gd 1200 n2

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MSD 7818

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Halbleiterbauelemente DDR

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