GEX06971
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P Vorläufige Daten / Preliminary Data 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 1.8 1.2 3.85 3.35 Area not flat 0.6 0.4 Chip position Approx. weight 0.5 g fex06306 GEX06971
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Original
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fex06306
GEX06971
OHF00330
GEX06971
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PDF
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SFH495P
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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Q62703-Q2891
GEXY6971
GEXY6630
SFH495P
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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GEX06971
GEX06630
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PDF
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SFH 4552
Abstract: GEXY6632 GEXY6971 Q62702-P5054
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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PDF
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transistor 495
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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Original
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GEX06971
GEX06630
transistor 495
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
OHF00328
SFH495P
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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GEX06971
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
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PDF
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80 ESP 12
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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fex06971
GEX06971
feo06652
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
80 ESP 12
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
Q62703-Q7891
OHF00329
transistor sr 61
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