Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
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Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A2626
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OHFD1781
Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
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Original
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEOY6075
GEOY6861
GEOY6075
GEOY6861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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GEOY6861
Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
GEOY6861
GPLY7049
OHFD1781
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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OSRAM - Q62702-P2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P0084
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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GEOY6861
GEOY6861
Q62702-P1605
OHF00078
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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OHF01402
GEO06861
GEO06861
Q62702-P1605
OHF02283
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GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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Q62702-P1605
GEOY6861
Q62702-P1605
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Fotodiode
Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEO06075
GEO06861
Fotodiode
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104FS
BP104F
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BP 104 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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OHF00078
Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und
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Original
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Q65110A2626
200any
OHF00078
Q65110A2626
GEOY6861
J-STD-020B
OHLA0687
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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GEO06075
Abstract: GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104
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Q62702-P1605
Abstract: GEO06861
Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
Q62702-P1605
GEO06861
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BP 104 FAS
Abstract: BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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BP104
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
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Original
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PDF
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Q62702-P0084
Q62702-P2627
BP104
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JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: BP 104 FAS
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
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Original
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D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
BP 104 FAS
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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Q65110A2626
Q65110A4262
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 2.20 mm x 2.20 mm BP 104 S GE006861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm
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E006861
OHF01778
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