GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
|
Original
|
PDF
|
feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
|
Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
|
Original
|
PDF
|
Q65110A2626
Q65110A2626
|
GEOY6861
Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
|
Original
|
PDF
|
|
SFH 225 FA
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-02 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
SFH 225 FA
|
GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
|
Original
|
PDF
|
GEOY6861
GEOY6861
Q62702-P1605
OHF00078
|
GEO06861
Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
|
Original
|
PDF
|
OHF01402
GEO06861
GEO06861
Q62702-P1605
OHF02283
|
GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P1605
GEOY6861
Q62702-P1605
|
OHF00078
Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und
|
Original
|
PDF
|
Q65110A2626
200any
OHF00078
Q65110A2626
GEOY6861
J-STD-020B
OHLA0687
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
SFH 225 FA
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
SFH 225 FA
|
Q62702-P1605
Abstract: GEO06861
Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
|
Original
|
PDF
|
feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
Q62702-P1605
GEO06861
|
JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: BP 104 FAS
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
BP 104 FAS
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
|
Original
|
PDF
|
|
|
|
BP 40 Datenblatt
Abstract: No abstract text available
Text: 2012-10-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
BP 40 Datenblatt
|
BP 104 FASR
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FASR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
BP 104 FASR
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
|
Original
|
PDF
|
Q62702P0084
D-93055
|