Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-02-08 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR SFH 2400 FA Features: SFH 2400 FAR Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 750 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 5 ns • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
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Original
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D-93055
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2400FA
Abstract: OHFD0228 rainsensor SFH 2400FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400, SFH 2400FA, SFH 2400FAR SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400FAR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 2400 und von
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Original
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2400FA,
2400FAR
2400FA
2400FA
2400FAR)
OHFD0228
rainsensor
SFH 2400FA
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OHFD0228
Abstract: GEOY6972 SFH 2400FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400 SFH 2400FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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2400FA
2400FA)
OHFD0228
GEOY6972
SFH 2400FA
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SFH 2400FA
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400 SFH 2400FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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2400FA
2400FA)
2400FA
Q65110A2628
Q65110A2638
SFH 2400FA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3401 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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Original
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D-93055
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Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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Q62702-P5035
Abstract: GEO06972 OHFD0228 Q62702-P1794 EV MARKING
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
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Original
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2400FA
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
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Original
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Q62702-P1794
2400FA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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Original
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Q65110A2629
Q65110A2634
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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Original
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Q65110A2635
Q65110A2644
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für
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Original
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Q65110A2629
Abstract: OHFD0228
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
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Original
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OHFD0228
Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P3605
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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Original
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OHFD0228
Abstract: Q65110A2628 SFH 2400FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400 SFH 2400FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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2400FA
2400FA)
OHFD0228
Q65110A2628
SFH 2400FA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-02-25 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR SFH 2400 FA Features: SFH 2400 FAR Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 750 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 5 ns • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
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D-93055
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6 pin opto
Abstract: fototransistor led led phototransistor 3 pin phototransistor 3 pin OHFD0228
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar
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950nm
6 pin opto
fototransistor led
led phototransistor 3 pin
phototransistor 3 pin
OHFD0228
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AN 34002
Abstract: No abstract text available
Text: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3400 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • Special: High linearity • Available only on tape and reel
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D-93055
AN 34002
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