osram ir ld 274
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
|
Original
|
Q62703Q1031
Q62703Q1819
Q62703Q1820
osram ir ld 274
|
PDF
|
GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
|
Original
|
|
PDF
|
OHRD1938
Abstract: sfh481-3
Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
|
Original
|
O-46-Geh
OHRD1938
sfh481-3
|
PDF
|
osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
950nm
|
PDF
|
GEO06645
Abstract: GEX06239 LD271 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 LD271 APPLICATIONS LD271 IR LED
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239
|
Original
|
fex06628
GEX06239
GEO06645
OHR01041
OHR00257
OHR01879
GEO06645
GEX06239
LD271
OHRD1938
Q62703-Q148
Q62703-Q256
Q62703-Q833
Q62703-Q838
LD271 APPLICATIONS
LD271 IR LED
|
PDF
|
GEX06260
Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g
|
Original
|
GEX06260
fex06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
GEX06260
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
OHR01882
transistor SR 51
|
PDF
|
LD271 IR LED
Abstract: LD271 LD271 remote control IR LD271 GEO06645 GEX06239 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239
|
Original
|
fex06628
GEX06239
GEO06645
Ho271
OHR01041
OHR00257
OHR01879
LD271 IR LED
LD271
LD271 remote control
IR LD271
GEO06645
GEX06239
OHRD1938
Q62703-Q148
Q62703-Q256
Q62703-Q833
|
PDF
|
LD271LH
Abstract: ld271
Text: 2007-04-04 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Features: • • • • • • Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package T 1 3/4 Typical peak wavelength 950nm High reliability Available with two different lead lengths
|
Original
|
950nm
D-93055
LD271LH
ld271
|
PDF
|
OPTO LD 271 H
Abstract: ir 271
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
|
Original
|
GEX06239
GEO06645
OPTO LD 271 H
ir 271
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260
|
Original
|
fex06260
GEX06260
OHR01041
OHR01882
OHR00860
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2
|
Original
|
fex06250
GEX06250
OHR00865
OHR01887
|
PDF
|
LD271 IR LED
Abstract: data sheet ld 271 OPTO LD 271 H LD271 APPLICATIONS LD271 remote control infrared remote switch IR LD271 ld 1.8 ld 18 LD271
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.0 0.7 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 1.3 1.0 2.54 mm spacing
|
Original
|
fex06628
GEX06239
GEO06645
OHR01041
OHR00257
OHR01879
LD271 IR LED
data sheet ld 271
OPTO LD 271 H
LD271 APPLICATIONS
LD271 remote control
infrared remote switch
IR LD271
ld 1.8
ld 18
LD271
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED
|
Original
|
GEXY6051
|
PDF
|
|
|
GEX06250
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar
|
Original
|
950nm
|
PDF
|
409 marking
Abstract: osram sfh 309
Text: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487
|
Original
|
D-93055
409 marking
osram sfh 309
|
PDF
|
GEXY6250
Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
|
Original
|
O-46-Geh
|
PDF
|
SFH 409 SFH 487
Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
|
Original
|
OHR01887
GEX06250
SFH 409 SFH 487
OPTOKOPPLER
p1002 sensor
Q62702-P1002
Q62702-P860
GEX06250
SFH409
|
PDF
|
data sheet ld 271
Abstract: ir dimmer circuits ir led datasheet hi-fi system touch dimmer IR 5MM LED OPTO LD 271 H A 69258 colour tv circuit OHRD1938
Text: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit
|
Original
|
950nm
data sheet ld 271
ir dimmer circuits
ir led datasheet
hi-fi system
touch dimmer
IR 5MM LED
OPTO LD 271 H
A 69258
colour tv circuit
OHRD1938
|
PDF
|
OHRD1938
Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
|
Original
|
O-46-Geh
OHRD1938
|
PDF
|
sfh450
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Plastic Fiber O ptic T ransm itte r Diode Plastic C onnector Housing SFH 450 SFH 450V Features • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Molded microlens for efficient coupling
|
OCR Scan
|
62702-P
Q62702-P265
OH000364
OHROQ535
Gpx06525
sfh450
|
PDF
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Sehr enger Abstrahlwinkel • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
|
OCR Scan
|
OHR01041
|
PDF
|