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Abstract: No abstract text available
Text: 200Ａ Ａvg 800 Ｖolts ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ •回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 PGH200N8 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Ｍaximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol
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Original
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PGH200N8
PGH200N8
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Abstract: No abstract text available
Text: 200Ａ Ａvg 800 Ｖolts ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ •回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 PGH200N8 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol
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PGH200N8
300mA,
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PT76S16
Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Text: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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Original
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508RP
Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Text: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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FCGS20A12
Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Text: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ
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PGH200N16
Abstract: PGH150N16 PGH100N8 PGH200N8 PGH75N16 PGH75N8 3Phase diode PGH50N16 PGH150N8 800V
Text: i N ew i H1 ffli / Features • K IU 2 3-Phase Diode Bridge + Thyristor • M M fflP 'J ' i l ' Low Thermal Resistance High Reliability, Long Life Require few space for Assembly 50A 800V / 1600V 75A 800V / 1600V 1OOA 800V / 1600V 150A 800V /16 00 V 200A 800V /16 00 V
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K3S23PBBBBB
00V/1600V
00V/1600V
PGH50N8
PGH75N8
PGH100N8
PGH150N8
PGH200N8
PGH50N16
PGH75N16
PGH200N16
PGH150N16
PGH200N8
3Phase diode
800V
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