GEOY6061
Abstract: SFH5130
Text: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode
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Original
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850 nm LED
Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar
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Original
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Q62702-P129
850 nm LED
GEOY6647
Q62702-P129
S8050
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-03-04 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Version 1.0 SPL PL90_0-B Features: • • • • • Besondere Merkmale: Optical peak power up to 4 W Laser wavelength 905 nm Suited for short laser pulses from 1 to 100 ns
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Original
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2013-11-06 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.1 SPL PL90 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Optical peak power up to 25 W Laser wavelength 905 nm Suited for short laser pulses from 1 to 100 ns
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D-93055
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GEOY6422
Abstract: Q62702-P273
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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GEOY6651
Abstract: Q62702-P102
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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Original
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Q62702-P17-S1
Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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OHF02340
GEX06260
Q62702-P1667
Q62702-P1674
Q62702-P1751
Q62702-P1752
Q62702-P1754
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GEOY6075
Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEOY6075
GEOY6861
GEOY6075
GEOY6861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
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Q62702-P129
Abstract: GEOY6647 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features
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OHF01402
GEOY6647
Q62702-P129
GEOY6647
S8050
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SPL PL90_3
Abstract: PL902 60825-1 P5353 Q62702-P5353 GEOY6066 Pl90
Text: Microstack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 32 . 50 W Spitzenleistung Pulsed Microstack Laser Diode in Plastic Package 32 . 50 W Peak Power SPL PL90_x Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Kostengünstiges Plastikgehäuse
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Original
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OHW01249
GEOY6066
SPL PL90_3
PL902
60825-1
P5353
Q62702-P5353
GEOY6066
Pl90
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL PL90_0 Besondere Merkmale Features • Kostengünstiges Plastikgehäuse • Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
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LL90
Abstract: EL7104C SPL LL90
Text: Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 25 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 25 W Peak Power SPL LL90 Besondere Merkmale Features • Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse • Integriert sind ein FET und Kondensatoren zur
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PL902
Abstract: SPL PL90_3 GEO06963 915nm PL903 Pl90 Q62702-P5311 905nm
Text: Microstack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 32 . 50 W Spitzenleistung Pulsed Microstack Laser Diode in Plastic Package 32 . 50 W Peak Power SPL PL90_x Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features • Kostengünstiges Plastikgehäuse
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OHW01249
GEO06963
PL902
SPL PL90_3
GEO06963
915nm
PL903
Pl90
Q62702-P5311
905nm
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse, 10 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package, 10 W Peak Power Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL PL85 Besondere Merkmale Features • • • • • • • • • • Optische Spitzenleistung bis zu 10 W
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austerlitz
Abstract: transistor k42 Layouts
Text: austerlitz electronic Kühlkörper für Plastik- und TO 3 - Transistoren Heat sinks for plastic and TO 3 transistors. Dissipateurs pour des transistors plastiques et les types TO 3 Höhe mm : 13/20/26/32 (Toleranz-1) Material: AL 1,5 Oberfläche: schwarz eloxiert
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL LL85 Besondere Merkmale Features • Kleines kostengünstiges Plastik-Gehäuse
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Original
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GEOY6066
Abstract: No abstract text available
Text: Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL PL85 Besondere Merkmale Features • Kostengünstiges Plastikgehäuse • Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DBI30-04B . DBI30-16B DBI30-04B . DBI30-16B Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2013-04-19 35 ±0.2 ±0.2 5.5 ±0.2 4.0 ±0.2 25±0.2 16 35 x 25 x 4 [mm] Pinning – Anschlussfolge 1.5 2.0 400.1600 V Plastic case – Plastikgehäuse
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DBI30-04B
DBI30-16B
UL94V-0
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speed gun
Abstract: No abstract text available
Text: 2009-03-04 Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Version 1.0 SPL PL90_0 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Optical peak power up to 4 W Laser wavelength 905 nm Suited for short laser pulses from 1 to 100 ns
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D-93055
speed gun
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GEOY6964
Abstract: Q62702-P1793 Q62702-P5052
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 204 F SFH 204 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
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equip20
OHF01402
GEOY6964
GEOY6964
Q62702-P1793
Q62702-P5052
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032-Z-T
Abstract: No abstract text available
Text: Chip-Carrier-Sockel Chip-Carrier-Sockets Für Plastik Leaded-Chip-Carrier For plastic leaded-chip-carrier m/m Art. Nr. Part no. Polzahl No. of contacts Menge in Tubes Quantity in tubes Abmessungen / Dimensions mm A ± 0,2 B ± 0,2 A-CCS 020-Z-T 20 39 15,60
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020-Z-T
028-Z-T
032-Z-T
044-Z-T
052-Z-T
068-Z-T
084-Z-T
Mil-Std-1344,
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Mini-CentronicsSteckverbinder Centronics-Steckverbinder Raster 1,27 mm Centronics-connector pitch 1,27 mm Handlötversion, Stecker incl. Plastikhaube Solder-Version, male with platic hood Art.-Nr. Part no. Polzahl No. of contacts Abmessungen / Dimensions mm / inch
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50/L/PH
50/L/MH
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103MA
Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Text: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie
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OT-23)
BCW68
Q62702-C463
Q62702-C464
Q62702-C465
Q62702-C466
Q62702-C467
103mA
1D2 SOT-23
BCW58
BCW57A
BCW57
OES45
JR-101
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