Bpy 43
Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
Text: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)
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Original
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Q62702-P3595
Q62702-P3593
Q62702-P999
Q62702-P3594
Q6270
Q62702-P1677
Q62702-1129
Q62702-P216
Q62702-P956
Q62702-P1671
Bpy 43
BP 103-3
SFH 225 FA
BPX 43-3/4
SFH 309-3/4
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GEO06351
Abstract: Q62702-P3587 Q62702-P3588 Q62702-P957 Q62702-P958
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 303 und bei 880 nm (SFH 303 FA)
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Original
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GEO06351
GEO06351
Q62702-P3587
Q62702-P3588
Q62702-P957
Q62702-P958
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PDF
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foto transistor
Abstract: Q62702-P958 GEOY6351 Q62702-P3587 Q62702-P3588 Q62702-P957
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 303 und bei 880 nm (SFH 303 FA)
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Original
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GEOY6351
foto transistor
Q62702-P958
GEOY6351
Q62702-P3587
Q62702-P3588
Q62702-P957
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PDF
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F1113
Abstract: Q62702P0957 GEOY6351 OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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Original
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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Q62702P0957
Q62702P3588
Q62702P0958
Q62702P3587
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PDF
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foto transistor
Abstract: GEOY6351 Q62702-P3587 Q62702-P3588 Q62702-P957 Q62702-P958
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 303 und von
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors NPN-Silizium-Fototransistor NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA 9.0 8.2 B C E 11.5 10.9 0.6 0.4 6.9 0.7 0.4 7.8 7.5 25.2
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Original
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GEO06351
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