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Q65110A0136 Datasheets (1)

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Q65110A0136		OSRAM	GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)		Original	PDF

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GMOY6078 Abstract: Q65110A0136 Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2	Original	PDF	0118G GMOY6078 Q65110A0136

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GMOY6078

Abstract: Q65110A0136
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

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0118G GMOY6078 Q65110A0136