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Untitled Abstract: No abstract text available Text: SCH2309 Ordering number : ENA0876 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2309 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	SCH2309 ENA0876 900mm20 A0876-4/4	PDF
IT11215 Abstract: No abstract text available Text: SCH2309 注文コード No. N A 0 8 7 6 三洋半導体データシート N SCH2309 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	SCH2309 900mm2 100mA 100mA, IT11217 900mm2 IT12739 --800mA --10V IT11215	PDF

Catalog Datasheet

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Untitled

Abstract: No abstract text available
Text: SCH2309 Ordering number : ENA0876 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2309 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.

Original

SCH2309 ENA0876 900mm20 A0876-4/4

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IT11215

Abstract: No abstract text available
Text: SCH2309 注文コード No. N A 0 8 7 6 三洋半導体データシート N SCH2309 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

Original

SCH2309 900mm2 100mA 100mA, IT11217 900mm2 IT12739 --800mA --10V IT11215

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