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Abstract: No abstract text available
Text: TOSHIBA GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 Unit in mm HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS 3.2 ±0.2 10 ±0.3 The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed : tf=0.30/*s Max. (Iq = 15A)
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GT15J301
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GT15J311
Abstract: No abstract text available
Text: GT15J311,GT15J311 SM TOSHIBA TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J311, GT15J311(SM) Unit in mm HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS GT15J311 MOTOR CONTROL APPLICATIONS 1.32 The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed : tf=0.30,«s (Max.) (l£ = 15A)
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GT15J311
GT15J311,
GT15J311
100a/jus
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2-10R1C
Abstract: GT15J301 V200
Text: TOSHIBA GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH PO W ER SWITCHING APPLICATIONS Unit in mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS 10 ±0.3 r The 3rd Generation ^3.2 ± 0.2 2.7±Q 2 < v> cn CO O Enhancement-Mode High Speed
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GT15J301
100a/jus
2-10R1C
GT15J301
V200
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Abstract: No abstract text available
Text: That HEW LETT WHIM PACKARD Avantek Products Thin-Film Cascadable Amplifier 5 to 1000 MHz Technical Data UTO/UTC 1012 Series Features Description Pin Configuration • Frequency Range: 5 to 1000 MHz The 1012 Series is a wideband, general-purpose thin-film bipolar
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TRANSISTOR sd 346
Abstract: Lautsprecher RFT L 2911 Lautsprecher LP C 4804 transistor TRANSISTOR b 882 p rft lautsprecher transistor GC 228 Transistor B 886 service-mitteilungen RFT KR 650
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB RFT INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN radio - television I Ausgabe 1988 Seite 8 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt Sicherheitskontrollen für 4oooer Parbfernsengeräte Nachfolgend geben wir Hinweise, welche speziellen Kontrollen
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untersc0037
TRANSISTOR sd 346
Lautsprecher RFT L 2911
Lautsprecher LP
C 4804 transistor
TRANSISTOR b 882 p
rft lautsprecher
transistor GC 228
Transistor B 886
service-mitteilungen
RFT KR 650
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transistor TIP3055
Abstract: No abstract text available
Text: TIP3055 _ y v . SILICON POWER TRANSISTOR N-P-N epitaxial-base power transistor in a plastic SOT-93 envelope for use in audio output stages and general amplifier and switching applications. P-N-P complement is TIP2955.
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TIP3055
OT-93
TIP2955.
003302b
bbS3T31
00350Efl
transistor TIP3055
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GEOY6653
Abstract: Q62702-P215 Q62702-P216
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 229 und bei 880 nm (SFH 229 FA)
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Original
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GEOY6653
GEOY6653
Q62702-P215
Q62702-P216
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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Original
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OHR00883
OHF01026
GEX06260
GEX06260
Q62702-P1671
Q62702-P930
SFH213FA
870nm
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GEXY6260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
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Original
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GEXY6260
GEXY6260
Q62702-P1671
Q62702-P930
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SFH 340
Abstract: GEXY6630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)
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Original
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GEXY6630
SFH 340
GEXY6630
Q62702-P1672
Q62702-P922
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acrian RF POWER TRANSISTOR
Abstract: JTDA50 JTDA50-2 Scans-00115670
Text: 0182998 ACRIAN INC GENERAL T? DE j G i a a n f l □□□1012 2 T D ' T - J j - LS JTDA50 DESCRIPTION The JTDA50 is a common basis transistor providing 50 watts of pulsed RF output power across the 960-1215 MHz Band. This hermetically sealed transistor is specifically designed for
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JTDA50
UTDA50
JTDA50-2
acrian RF POWER TRANSISTOR
JTDA50-2
Scans-00115670
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L7E transistor
Abstract: No abstract text available
Text: •I bbS3^31 33T H A P X N AUER PHILIPS/DISCRETE PMBT5401 L7E ]> y v SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR P-N-P high-voltage small-signal transistor for general purposes and especially in telephony applications and encapsulated in a SOT-23 envelope. QUICK REFERENCE DATA
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PMBT5401
OT-23
OT-23es
L7E transistor
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214 opto
Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)
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Original
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OHR00883
OHF01026
GEX06630
214 opto
GEX06630
Q62702-P1672
Q62702-P922
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GEOY6653
Abstract: OHLY0598
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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GEXY6260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei
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Original
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GEOY6653
Abstract: OHLY0598 Q62702P0216
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 229 SFH 229 FA SFH 229 SFH 229 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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GEXY6630
Abstract: Q62702-P1672 Q62702-P922
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: A dvanced I / I 1 K ^ Z S ^ ALD1102A/ALD1102B ALD1102 L in e a r D e v ic e s , I n c . DUAL P-CHANNEL MATCHED MOSFET PAIR GENERAL DESCRIPTION APPLICATIONS The ALD1102 is a monolithic dual P-channel matched transistor pair intended for a broad range of analog applications. These enhancement
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ALD1102A/ALD1102B
ALD1102
ALD1102
1Q2A/ALD1102B
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3D24N2Y
Abstract: transistor sc 238 9008 transistor transistor sc 308 SAL 41 transistor 9013 1008 transistor X2C70 transistor D 1002 3D24N
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB INDUSTRIEVERTRIEB R U N O F U N K U N D FE R N SE H E N AUSGABE: M m ri r a d i o - t e i e v i s i o n l 1 9 8 4 14-16 S e ite 1 - 1 2 Mitteilung aus dem VSB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig Serviceinformationen zuin neuen Auto-Stereo-Kassettenabspielgerät
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Ge1012
3D24N2Y
transistor sc 238
9008 transistor
transistor sc 308
SAL 41
transistor 9013
1008 transistor
X2C70
transistor D 1002
3D24N
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PHILIPS SENSOR 2032
Abstract: .47k capacitor image ccd image sensor Contact image sensor BAS28 BAT74 BC860C BFR92 BG40 CCD output buffer
Text: IMAGE SENSORS FXA 1012 Frame Transfer CCD Image Sensor Objective specification File under Image Sensors Philips Semiconductors 2000 January 7 Philips Semiconductors Objective specification Frame Transfer CCD Image Sensor • 2M active pixels 1616H x 1296V
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1616H
101CCD
WAG-05
PHILIPS SENSOR 2032
.47k capacitor image
ccd image sensor
Contact image sensor
BAS28
BAT74
BC860C
BFR92
BG40
CCD output buffer
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v-mosfet
Abstract: vmosfet ISPSD coolmos
Text: A new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon G. Deboy, M. März, J.-P. Stengl, H. Strack, J. Tihanyi and H. Weber Siemens AG, Semiconductor Division, Balanstr. 73, 81541 München, Germany Abstract Thus the doping of the current conducting n-regions can be
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ED-26
v-mosfet
vmosfet
ISPSD coolmos
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VIP 22A
Abstract: AD7546 Vip ct 22A
Text: AN ALO G D E V IC E S FEATURES Low Offset Voltage Drift Matched Offset Voltage Matched Offset Voltage Over Temperature Matched Bias Current Crosstalk: -124dB at 1kHz Low Bias Current: 35pA max Warmed Up Low Offset Voltage: 250|iV max Low Input Voltage: 2|iV p-p
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-124dB
108dB
20-Pin
MIL-STD-883B
AD547
AD647
AD647
250/iV,
AD647J.
VIP 22A
AD7546
Vip ct 22A
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Abstract: No abstract text available
Text: Neutron testing of the ISL70444SEH quad operational amplifier Nick van Vonno Intersil Corporation 15 October 2013 Revision 0 Table of Contents 1. Introduction 2. Part Description 3. Test Description 3.1 Irradiation facility 3.2 Characterization equipment 3.3 Experimental Matrix
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ISL70444SEH
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Abstract: No abstract text available
Text: TAIWAN LITON ELECTRONIC MIE D 0035^5 Q O G B GT Ö 251 ITLIT General Purpose Type Photocoupler LTK6N136 LITEM Ï FEATURES 1. High speed response t PHL tPLH 6N136: MAX. 0.8 ms at RL = 1.9 kii 2. High instantaneous com m on mode rejection voltage (CMh: TYP. 1 kV/^s)
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LTK6N136
6N136:
E113898
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