Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM32405LA-S •概要 ■特長 ELM32405LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-12A ・ Rds on < 45mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V)
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Original
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ELM32405LA-S
P06P03LDG
O-252
AUG-17-2004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特長 ELM32403LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)
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Original
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ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
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P75N02LDG
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特長 ELM32428LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=75A ・ Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM32428LA-S
P75N02LDG
O-252
Jun-11-2005
P75N02LDG
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ELM32405LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM32405LA-S •概要 ■特点 ELM32405LA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压, 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-12A ·Rds on < 45mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
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Original
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ELM32405LA-S
P06P03LDG
O-252
AUG-17-2004
ELM32405LA
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ELM32403LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特点 ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压, 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-40V ·Id=-8A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
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Original
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ELM32403LA-S
P5504EDG
O-252
AUG-19-2004
ELM32403LA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S •概要 ■特長 ELM33413CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V)
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Original
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ELM33413CA-S
Jul-20-2006
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P6402FMG
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM33403CA-S •概要 ■特長 ELM33403CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 79mΩ (Vgs=-2.5V)
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Original
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ELM33403CA-S
Mar-22-2006
P6402FMG
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ELM32428LA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特点 ELM32428LA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=75A ·Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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Original
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ELM32428LA-S
P75N02LDG
O-252
Jun-11-2005
ELM32428LA
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P0260AD
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特長 ELM32434LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=600V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=2A ・ Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値
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Original
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ELM32434LA-S
Mar-23-2009
P0260AD
O-252
P0260AD
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N •概要 ■特長 ELM34605AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。
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Original
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ELM34605AA-N
-55Id
P3503QVG
OCT-08-2004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM34604AA-N
P2804NVG
AUG-19-2004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34601AA-N •概要 ■特長 ELM34601AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。
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Original
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ELM34601AA-N
P2103NVG
MAY-21-2004
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ELM34404AA
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特点 ELM34404AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目
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Original
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ELM34404AA-N
P5506BVG
SEP-30-2004
ELM34404AA
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pd1503
Abstract: No abstract text available
Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き ELM341503A-N •概要 ■特長 ELM341503A-N は低入力容 Q2 Q1 量 低電圧駆動、 低オン抵抗と • Vds=30V • Vds=30V いう特性を備えた大電流デュア
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Original
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ELM341503A-N
00E-01
00E-02
Oct-28-2009
pd1503
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35603KA-S •概要 ■特長 ELM35603KA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=10A
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Original
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ELM35603KA-S
P2204ND5G
O-252-5
May-03-2006
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P5003QVG
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM34600AA-N
DEC-19-2005
P5003QVG
P5003QVG
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S •概要 ■特長 ELM33400CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
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Original
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ELM33400CA-S
Mar-22-2006
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特長 ELM34802AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=4.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)
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Original
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ELM34802AA-N
May-10-2006
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM33410CA-S •概要 ■特長 ELM33410CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5A ・ Rds on < 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V)
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Original
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ELM33410CA-S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特長 ELM36800EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=30V ・ Id=3.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)
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Original
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ELM36800EA-S
OCT-12-2005
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ELM34802AA
Abstract: No abstract text available
Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特点 ELM34802AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值
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Original
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ELM34802AA-N
May-10-2006
ELM34802AA
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D425 transistor
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM340703A-N •概要 ■特長 ELM340703A-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-15A オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
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Original
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ELM340703A-N
00E-01
00E-02
D-42-5
D425 transistor
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM36405EA-S •概要 ■特長 ELM36405EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5A ・ Rds on < 44mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V)
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Original
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ELM36405EA-S
Aug-03-2006
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transistor 75 U50
Abstract: 2DI50M-050 2DI100MA-050 2DI30M-050 M203 M208 M210 6DI100M-050
Text: BIPOLAR TRANSISTOR M O DULES Ratings and Specifications 600 volts class high Fife power transistor modules • Because this m o d u le has 10 tim e s or m o re th e con vention al DC cu rren t gain, set p ro p o rtio n a lly fo r each ele m en t cu rren t capacity 75 to 300A , it is possible to m in iatu rize and standardize th e base drive circuit and drive p o w er supply.
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OCR Scan
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2DI30M-050
6DI30M
6DI30MA
6DI50M
6DI50MA
6DI100M
0DD3722
transistor 75 U50
2DI50M-050
2DI100MA-050
M203
M208
M210
6DI100M-050
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