C250
Abstract: Monta
Text: PI6-OC przekaŸniki interfejsowe 227 • Przekaźniki PI6-OC - z wyjściem tranzystorowym dla obciążeń 0,5 A / 70 V DC • Montaż na szynie 35 mm wg EN 50022, podłączenie przewodów do zacisków śrubowych - 0,2.4 mm2 • Przystosowane do współpracy ze złączem grzebieniowym typu ZG20
|
Original
|
ZG20-1
ZG20-2
ZG20-3
C250
Monta
|
PDF
|
Scans-048
Abstract: DSAGER00041
Text: 1,1 U N I T R O GEMI UL Ukiad TIL 1121N cklada si e z czterech tranzystorów* Przeznaczony jest do sterowania cyfraroi wyéwietlacza. Uktad produkowany jest równieè w. wersji nieobudowanej /UL 1121/ i przeznaczony jest do sterowania w segar* 1121 N Uklad sterow a ni a
|
OCR Scan
|
1121N
Scans-048
DSAGER00041
|
PDF
|
min33
Abstract: STB60N06-14 parametry tewa TG3A TG3F T018 tranzystory 60HS tg5 tranzystor
Text: 5-74/1 T R A N Z Y S T O R Y p-n-p O TG2, TG3A, TG3F, TG4, TG5 i TG8 SWW 1156-211 Tranzystory germ anow e stop ow e m alej m ocy m alej cz§stotliwoäci. Tranzystory TG2, TG3A, TG3F, TG4 i TG5 przaznaczone do stosow ania w ukiadach w zm acniajqcych m.cz. Tranzystor TG8 jest przeznaczcmy do stosow ania w uk ia
|
OCR Scan
|
min33
min33
STB60N06-14 parametry
tewa
TG3A
TG3F
T018
tranzystory
60HS
tg5 tranzystor
|
PDF
|
ps ula
Abstract: 1111N UL1111 tranzystory tranzystor UL1111N ULA6111 V100 6111N ul 1111
Text: UL niUNITRR LJI GEM I 111I N U L A 6111N ükîad DL 1111H zawiera dwa tranzystóry po230 zone w ukZadEle wzmaoniaoza róinioowego 1 trzy tranzystory. Prseznaczony jest do zastosowaA ogólnyob. * Para róznicowa i trzy trarzystory Obudowa CE 70 Parametry dopuszczalne
|
OCR Scan
|
1111K
1111N
6111N
6111K
1111N
6111N
ps ula
UL1111
tranzystory
tranzystor
UL1111N
ULA6111
V100
ul 1111
|
PDF
|
BF183
Abstract: BF182 C22B bf 182 tranzystory h21e BU 208
Text: TRANZYSTORY * BF182 i BF183 15 74/2 n-p-n - SWW 1156-214 Tranzystory krzem owe epiplanarne m alej mocy bardzo w ielkiej czçstotliwosci. Tranzystor BF182 jest przeznaczony do stosow ania w stopniach m ieszacza odbiorników telew izyjnych w pasm ie czçstotliwosci VHF oraz powszechnie we wzm acniaczach
|
OCR Scan
|
BF182
BF183
BF183
BF182
C22B
bf 182
tranzystory
h21e BU 208
|
PDF
|
fp178
Abstract: BFP177 BFP178 tranzystory
Text: TRANZYSTORY V BFP177 i BFP178 21-74/2 n-p-n SWW 1156-223 T ranzystory krzem ow e p lan arn e éredniej mocy w ielkiej czçstotliwoéai, S 3 przeznaczone do stosow ania w stopniach w yjsciowych w zmacniaczy w izji odbiorników telew izyjnych. 9,4 max 12.7 mw
|
OCR Scan
|
BFP177
BFP178
BFP177
fp178
BFP178
tranzystory
|
PDF
|
373 ic
Abstract: BFYP99 tranzystor IC350 moc 233
Text: T R A N Z Y S T O R n-p-n * BFYP99 27-74/2 SWW 1156-223 Tranzystor krzemowy epiplanarny przeznaczony do stosowania we wzmacniaczach mocy i generatorach wielkiej cz^stotliwosci. Tranzystor w obudowie metalowej T039 CE23 . Kolektor jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
BFYP99
373 ic
BFYP99
tranzystor
IC350
moc 233
|
PDF
|
BD254
Abstract: BD254B BD255 T066 2MA4 bo254
Text: 10 - 74/2 T R A N Z Y S T O R n-p-n * BD254 SWW 1156-231 Tranzystor krzemowy epiplanarny duzej mocy malej cz^stotliwoSci. Jest przeznaczony do stosowania: — w stopniach wyjficiowych wzmacniaczy Hi—Fi — w ukladach przd^czajqcych mocy. Tranzystor BD254 jest komplementarny do tranzystora
|
OCR Scan
|
BD254
BD254
BD255.
skladowani10
BD254B
BD255
T066
2MA4
bo254
|
PDF
|
1042N
Abstract: UL1042N UBR23 Scans-00155967 schema CEMI
Text: .11U N I T R O ce m i UL 1042N Ukiad UL 1042N jest mieszaczem zrownowa^onyro dla obu sygnaldw wej^ciowyoh. Zawiera sz e £ 6 tranzystordw z ukladem polaryzacji. Ma nast^puj^ce wta^ciwo^cis - praouje do 200 MHz, - nte wytnaga element6w indukoyjnych. Uklad przeznaczony jest do stosowania w odbiornikaoh.
|
OCR Scan
|
1042N
1042N
UL1042N
UBR23
Scans-00155967
schema
CEMI
|
PDF
|
BSXP59
Abstract: BSXP61 Ucesat BSXP60 BSXP59-61 WO30
Text: 29-T4/2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP59, BSXP60 i BSXP61 SWW 1156-223 Tranzystory krzem ow e epiplanarne przeznaczone do uk lad6w szybko przel^czajqcych sredniej mocy; w szczegolnosci do uk lad6w sterow ania pamiQci ferrytow ych. K olektor tranzystora jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
BSXP59,
BSXP60
BSXP61
bsxp59
BSXP59-61
BSXP61
Ucesat
BSXP59-61
WO30
|
PDF
|
BdP 285
Abstract: bdp 286 BDP286 BDP285 BUCP-52 BDP396 BDP 284 BP469 BC-148 BDP495
Text: TRANZYSTORY Wykaz oznaczert parametrów technicznych CCBO C12es C12ss t p fT P h2le XB pojemnoóò kolektor - baza pojemnoóé sprzgzenia zwrotnego w ukladzie wspòlnego «altera /OE/ pojemnosé sprzeienia zwrotnego w ukladzie wspòInego iródta /OS/ oziatotiiwoàé pomiarowa
|
OCR Scan
|
C12es
C12ss
BFI67,
T0220
BF245
BF240-1,
BF440-I
05-QJÂ
T0126
BFR30R-3IR
BdP 285
bdp 286
BDP286
BDP285
BUCP-52
BDP396
BDP 284
BP469
BC-148
BDP495
|
PDF
|
BCP627
Abstract: BCP628 TEWA BCP62
Text: TRANZYSTORY BCP627 i BCP628 n-p-n SWW 1156-211 T ra n z y sto ry k rz em o w e e p ip la n a rn e m alej m ocy m aiej cz^stotliw osci. S3 p rzezn aczo n e do zasto so w an u n iw e rsa ln y c h w u k la d a c h a u to m a ty k i i a p a ra tu r z e ra d io w o -o d b io rc z e j o ra z w u k la
|
OCR Scan
|
BCP627
BCP628
BCP628
TEWA
BCP62
|
PDF
|
tranzystor
Abstract: BSWP30 CE25 T072
Text: 28-74/2 TRANZYSTOR BSWP30 SWW 1156-21 Tranzystor krzemowy polowy MOS epiplanarny z kanalem typu p wzbogacanym, z izolowan^ bramkq. Jest przeznaczony do stosowania w ukladach przelqczaj^cych malej mocy oraz w ukladach o duzej impedancji wejáciowej. Zakres temperatury
|
OCR Scan
|
BSWP30
tranzystor
BSWP30
CE25
T072
|
PDF
|
uf135
Abstract: BAP815 telefoni
Text: 4 - 74/2 DIODA STABILIZACYJNA * BAP815 * SWW 1156-141 Dioda krzem ow a dyfuzyjna m alej mocy jest przeznaczona do stabilizacji punk tó w p racy w ukladaçh tranzystorowych. DAÑÉ TECHNICZNE Dopuszczalne w artosci p aram etrów eksploatacyjnych P rqd przew odzenia
|
OCR Scan
|
BAP815
10-Vdeg
25-zo
uf135
BAP815
telefoni
|
PDF
|
|
|
1121N
Abstract: IC60 lzl 60 c
Text: nyfiUNiTRR KSsil OEM I U L 1121N Ukiad ITL 1121N skiada si^ z cztereeh tranzystor<5w, Przeznaczony jest do sterowania cyframi wygwietlaeza. Uklad produkowany Jest r6wnie£ w wersjl nieobudowanej /UL 1121/ i przeznaczony jest do sterowania w zegarkach r^cznych.
|
OCR Scan
|
11P1W
1121N
1121N
IC60
lzl 60 c
|
PDF
|
BD254B
Abstract: BD255 2XBD255 BD254 tranzystor T066 sd255 TEWA
Text: TRANZYSTOR * BD255 »-74/* p-n-p SWW 1156-231 Tranzystor krzemowy epiplanarny duzej mocy malej czçstotliwoâci. Jest przeznaczony do stosowania: — w stopniach wyjéciowych wzmacniaczy Hi—Fi — w ukladach przel^czafàcych mocy. Tranzystor BD255 jest kom plementarny do tranzystora
|
OCR Scan
|
BD255
BD255
BD254.
BD254B
2XBD255
BD254
tranzystor
T066
sd255
TEWA
|
PDF
|
LA3101
Abstract: BUYP52 BUYP53 BUYP54 A310 3474
Text: 34 74/2 - T R A N Z Y S T O R Y n-p-n O BUYP52 BUYP53 i BUYP54 SWW 1156-232 Tranzystory krzemowe M ESA potr 6 jn e j dyfuzji Sredniej cz^stotliwoSci duzej mocy. S 3 przeznaczone do stosowania w ukladach impulsowych mocy oraz w zasilaczach stabilizowanych.
|
OCR Scan
|
BUYP52
BUYP53
BUYP54
s26tQ
BUYP51
LA3101
BUYP54
A310
3474
|
PDF
|
UL1321N
Abstract: e703 DSAGER00057
Text: ¡!¡R¡ U I M I T R R 1=1 C E M I UL 1321N Ukiad ÜL 1321 zawiera: U klad podw ójnego przedw zm acniacza akustycznego - dwa przedwzmaoniacze m.oz., - oddzielny tranzystor. Charakteryzuje s í q naetfpujqoymi oechami: - roa d u te wzmocnienie z otwart$ pqtle± sprz^áenia zwrot-
|
OCR Scan
|
1321N
UL1321N
e703
DSAGER00057
|
PDF
|
k 2674
Abstract: tranzystor BFWP21 CE25 T072
Text: TRANZYSTOR BFWP21 * -« « SWW 1156-21 T ranzystor krzem ow y polow y MOS epip lan arn y z k a n a lem typu n zubozanym , z izolowanq bram kq. Jest przeznaczony do stosow ania w e w zm acniaczach i ukladach przeJ^czajijcych m aiej mocy oraz w ukladach o duzej im pedancji wejSciowej.
|
OCR Scan
|
BFWP21
k 2674
tranzystor
BFWP21
CE25
T072
|
PDF
|
BF196
Abstract: tewa BF 196 tranzystor C12e3
Text: n-p-n TRANZYSTOR *• BF196 17 - 74/2 SWW 1156-213 T ra n z y s to r k rz em o w y p la n a rn y m ale j m ocy w ie lk ie j czçstotliw oàci. J e s t przezn aczo n y do sto so w an ia w sto p n iu re g u la c y jn y m w z m acn iacza p o sre d n iej czçstotliw osci w izji, od b io rn ik ó w
|
OCR Scan
|
BF196
f-35MHz
tamlr25Â
35MHz
022el
BF196
tewa
BF 196
tranzystor
C12e3
|
PDF
|
1202L
Abstract: No abstract text available
Text: ïTiUNlTRR UL 1202L Uklad UL 1202L jest Jednostopniowym wsmaoniacaem p.cz. .ssawierajt*oym; - dwa tranzystory w ukladsle wzmaoniaosa rôinioowego, - uVlad polarysaojl. Uklad prseznaozony do zastosowaA v ukladaohodbiornikôw radiowych. Wsmacniacz p »c l Obudowa CE 25
|
OCR Scan
|
1202L
1202L
TJocip10
fp-10
Ucc-10
fj-10
|
PDF
|
1ami
Abstract: BC528 BC527 cemi BC526
Text: TRANZYSTORY BC527 i BC528 n-p-n 8-74/2 SWW 1156-211 T ra n z y sto ry k rz em o w e e p ip la n a rn e m ale j m ocy m alej C Z Q S t0 tliW 0 ^ C i. Sq przeznaczone do zasto so w an u n iw e rsa ln y c h w u k la d a c h a u to m a ty k i i a p a ra tu rz e ra d io w o -o d b io rc ze j o raz w u k la
|
OCR Scan
|
BC527
BC528
1ami
BC528
cemi
BC526
|
PDF
|
BC313
Abstract: BC211 tranzystor A 21E J BC313 2BC313 TEWA
Text: TRANZYSTOR * BC313 7 - 74/2 p-n-p SWW 1156-221 T ra n z y sto r k rz em o w y e p ip la n a rn y sre d n ie j m ocy m aiej czqstotliw oici. J e s t p rzezn aczo n y do sto so w an ia : — w sto p n iac h ste ru j^ c y c h o d c h y la n ia poziom ego o d b io rn ik o w tele w iz y jn y c h
|
OCR Scan
|
BC313
BC313
BC211.
BC211
tranzystor
A 21E
J BC313
2BC313
TEWA
|
PDF
|
1000L
Abstract: tranzystor Y1236 h21Bl
Text: UL 1000L U LA 1000L Ukiad UL 1000 zawiera dwa tranzystory pol^czone w ukladzie przydatnym w konstrukcjach modulatorów koiowych. ffymaga zastosowania dwóch transformatorów rdwnowai^cych. Ukiad przeznaczony jest do zastosowania w ukladach teletectinicznych.
|
OCR Scan
|
1000L
1000L
Ic-150
IB4-150
h21Bl
h21B2|
h21B3
tranzystor
Y1236
h21Bl
|
PDF
|