Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: E2G0144-18-11 ¡ Semiconductor MD51V65160 ¡ Semiconductor This version:MD51V65160 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MD51V65160 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS
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Original
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E2G0144-18-11
MD51V65160
304-Word
16-Bit
MD51V65160
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PDF
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active suspension
Abstract: MSM56V16160F MSM56V16160F-8 TSOPII50-P-400-0
Text: This version : Sep.1999 Semiconductor MSM56V16160F 2-Bank ´ 524,288 Word ´ 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank ´ 524,288-word ´ 16 bit Synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI’s CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL
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Original
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MSM56V16160F
MSM56V16160F
288-word
16bit
cycles/64
active suspension
MSM56V16160F-8
TSOPII50-P-400-0
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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J2G0143-18-11
MD51V64160
MD51V64160
304-Word
16-Bit
MD51V64160CMOS4
42CMOS
50SOJ50TSOP
19264ms
09664ms
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PDF
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TSOPII50-P-400-0
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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FEDD51V64165E-03
MD51V64165E
304-Word
16-Bit
MD51V64165E
50-pin
TSOPII50-P-400-0
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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FJDD51V65165J-02
MD51V65165J
304-Word
16-Bit
MD51V65165J
/64ms
TSOPII50-P-400-0
80-1K
MD51V65165J-xxTA
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MSM56V16160J
Abstract: No abstract text available
Text: FEDD56V16160J-07 OKI Semiconductor MSM56V16160J Issue Date: Oct. 26, 2005 2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160J is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL compatible.
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Original
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MSM56V16160J
288-Word
16-Bit
FEDD56V16160J-07
MSM56V16160J
cycles/64
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TSOPII50-P-400-0.80-1K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.
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Original
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TSOPII50-P-400-0
80-1K
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TSOPII50-P-400-0.80-K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.
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Original
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TSOPII50-P-400-0
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PDF
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MSM56V16160F
Abstract: active suspension
Text: FEDD56V16160F-02 1Semiconductor MSM56V16160F This version: March. 2001 Previous version : January. 2001 2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM fabricated in
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Original
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FEDD56V16160F-02
MSM56V16160F
288-Word
16-Bit
MSM56V16160F
cycles/64ms
active suspension
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: E2G0143-18-11 ¡ Semiconductor MD51V64160 ¡ Semiconductor This version:MD51V64160 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MD51V64160 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS
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Original
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E2G0143-18-11
MD51V64160
304-Word
16-Bit
MD51V64160
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PDF
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MD51V65165
Abstract: MD51V65165-50 MD51V65165-60
Text: Dear customers, About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and "OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd. The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.
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Original
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MD51V65165
TSOPII50-P-400-0
80-1K
MD51V65165
MD51V65165-50
MD51V65165-60
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MD51V65165
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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J2G0146-18-11
MD51V65165
MD51V65165
304-Word
16-Bit
MD51V65165CMOS4
42CMOS
50SOJ50TSOP
09664ms
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FEDD51V65165E-02 Issue Date: Aug. 28, 2002 OKI Semiconductor MD51V65165E 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO DESCRIPTION The MD51V65165E is a 4,194,304-word × 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki’s silicon-gate CMOS technology. The MD51V65165E achieves high integration, high-speed operation, and low-power
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Original
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FEDD51V65165E-02
MD51V65165E
304-Word
16-Bit
MD51V65165E
50-pin
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425M
Abstract: DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 DIP40 SOJ28-P-400-1 PGA wire bonding IPGA400-C-S33U-1 PGA240
Text: 2. 外形寸法図 2. 外形寸法図 2 2-1. パッケージ外形寸法 - 2 2-1-1. パッケージ寸法表示記号 - 2 2-1-2. リード位置許容値について - 3
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Original
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P-LFBGA144-1313-0
P-BGA256-2727-1
P-BGA352-3535-1
P-BGA420-3535-1
P-BGA560-3535-1
P-TFLGA32-0806-0
425M
DIP18
DIP20
DIP28
DIP32
DIP40
SOJ28-P-400-1
PGA wire bonding
IPGA400-C-S33U-1
PGA240
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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J2G1038-17-65
MSM56V16160B/BH
MSM56V16160B/BH
288-Word
16-Bit
MSM56V16160B/BHCMOS2
16RAM3
09664ms
Latency123
Latency23
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a9la
Abstract: MSM54V24616 msm54v24616-10
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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MSM54V24616
MSM54V24616
072-Word
16-Bit
MSM54V24616CMOS2
125MHz
02416ms
50TSOPtype
IITSOPII50-P-400-0
80-KMSM54V24616-xxTS-K
a9la
msm54v24616-10
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MSM54V24616
Abstract: QA1 power amplifier
Text: in im el Pr MSM54V24616 131,072-Word ¥ 16-Bit ¥ 2-bank SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM54V24616 is a 131,072-word ¥ 16-bit ¥ 2-bank synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI's CMOS silicon gate process technology. The device operates at 3.3 V. The inputs and
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Original
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MSM54V24616
072-Word
16-Bit
MSM54V24616
125MHz
072-words
QA1 power amplifier
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QSJ-50074
Abstract: QSJ-44403 QFJ28-P-S450-1 QSJ-44574 SSOP60-P-700-0 SSOP30-P-56-0 SOP8-P-250-1 QSJ52627 sop44-p-600-1.27-k QFJ20
Text: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4
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Original
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300mil
QSJ44400
DIP8P3002
DIP14P3002
DIP16P3002
DIP18P3002
DIP20P3002
DIP22P3002
DIP8G3002
QSJ-50074
QSJ-44403
QFJ28-P-S450-1
QSJ-44574
SSOP60-P-700-0
SSOP30-P-56-0
SOP8-P-250-1
QSJ52627
sop44-p-600-1.27-k
QFJ20
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MD51V65165E
Abstract: MD51V65165E-50 27A6 MD51V65165E-60
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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FJDD51V65165E-03
MD51V65165E
304-Word
16-Bit
/64ms
400mil
SOJ50-P-400-0
TSOPII50-P-400-0
MD51V65165E
MD51V65165E-50
27A6
MD51V65165E-60
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株
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Original
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J2G0145-18-11
MD51V64165
MD51V64165
304-Word
16-Bit
MD51V64165CMOS4
42CMOS
50SOJ50TSOP
19264ms
09664ms
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PDF
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msm56v16160d-8
Abstract: cs 3144
Text: J2G1060-18-X1 作成：1998年10月 ¡ 電子デバイス MSM56V16160D l MSM56V16160D 2-Bankx524,288-Word×16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM n 概要
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Original
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J2G106018X1
MSM56V16160D
MSM56V16160D
288Word
16Bit
MSM56V16160DCMOS2
09664ms
Latency123
50400milTSOP
TSOPII50P4000
msm56v16160d-8
cs 3144
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: FEDD56V16160F-01 1Semiconductor MSM56V16160F This version: January. 2001 Previous version : 2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM fabricated in
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Original
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FEDD56V16160F-01
MSM56V16160F
288-Word
16-Bit
MSM56V16160F
cycles/64ms
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: E2G0145-18-11 ¡ Semiconductor MD51V64165 ¡ Semiconductor This version:MD51V64165 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO DESCRIPTION The MD51V64165 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS
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Original
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E2G0145-18-11
MD51V64165
304-Word
16-Bit
MD51V64165
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PDF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: O K I Semiconductor MSM5 1 V6 5 1 6 0 _ E 2G 1018-17-43 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSM51V65160 is a 4,194,304-word x 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS technology. The MSM51V65160 achieves high integration, high-speed operation, and low-power
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OCR Scan
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304-Word
16-Bit
MSM51V65160
50-pin
04-word
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PDF
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