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mos die Abstract: IRF620 Text: 3DE D • 7 ^ 5 3 7 0D3Q13H S C S -T H O M S O N s 5 G s-thohson ^]D g^(0 i[Liim iO(gl_IRF620 CHIP * 7 in s N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN DIE FORM DIE SIZE: METALLIZATION: Top Back BACKSIDE THICKNESS: DIE THICKNESS: PASSIVATION:	OCR Scan	0D3Q13H IRF620 110x110 19x27 12-C/W mos die	PDF

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mos die

Abstract: IRF620
Text: 3DE D • 7 ^ 5 3 7 0D3Q13H S C S -T H O M S O N s 5 G s-thohson ^]D g^(0 i[Liim iO(gl_IRF620 CHIP * 7 in s N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN DIE FORM DIE SIZE: METALLIZATION: Top Back BACKSIDE THICKNESS: DIE THICKNESS: PASSIVATION:

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