Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: V I S H AY I N T E R T E C H N O L O G Y, I N C . OPTOELECTRONICS VCNL4000 Industry’s First Optical Sensor Combining an IR Emitter, PIN Photodiode, and Ambient Light Detector with 16-bit Resolution and I2C Interface FEATURES AND BENEFITS • Low profile surface-mount package: 3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 H mm
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Original
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PDF
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VCNL4000
16-bit
VMN-PT0251-1107
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3 mm ir receiver
Abstract: s950 PIN photodiode 850 nm 850 photodiode 2 pin ir receiver Q62702-P3019 S850
Text: SRD 00111Z Silicon PIN Photodiode in TO-Package • • • • • • • • • • • Si-PIN-photodiode Designed for application in fiber-optic Transmission systems Sensitive receiver for the 1st window 850 nm Suitable for bit rates up to 565 Mbit/s
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Original
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PDF
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00111Z
Q62702-P3019
3 mm ir receiver
s950
PIN photodiode 850 nm
850 photodiode
2 pin ir receiver
Q62702-P3019
S850
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GEO06861
Abstract: OHFD1781 Q62702-P1646
Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 FS 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Cathode lead feo06861 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm
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Original
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feo06861
GEO06861
OHFD1781
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
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BPW 14 A
Abstract: E9087 GEO06916 Q62702-P1829 P30120 BPW 34 FAS
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FAS (E9087) Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06916 4.0
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Original
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E9087)
feo06916
GEO06916
E9087:
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
BPW 14 A
E9087
GEO06916
Q62702-P1829
P30120
BPW 34 FAS
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OHF01066
Abstract: Q62702-P1602 GEO06863 120 Hz IR photodiode S8050 BPW 34 S
Text: 1.1 0.9 1.8 1.4 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BPW 34 S 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm GEO06863 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
OHF01066
Q62702-P1602
GEO06863
120 Hz IR photodiode
S8050
BPW 34 S
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E9087
Abstract: GEO06916 Q62702-P1826
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FS (E9087) Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06916 4.0 3.7
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Original
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E9087)
feo06916
GEO06916
E9087:
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
E9087
GEO06916
Q62702-P1826
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bpw 104
Abstract: OHF00368 GEO06863 Q62702-P1604
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FS Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06861 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.8 ±0.2
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Original
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feo06861
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
bpw 104
OHF00368
GEO06863
Q62702-P1604
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GEO06972
Abstract: Q62702-P1794 SFH2400
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 2400 SFH 2400 FA Vorläufige Daten / Preliminary Data 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position not connected 0.5 0.3 1.1 0.9 0.9 0.6 2.1 1.9 0.8 0.6 Active area 1x1 0.1 0.0 4.8 4.4 Cathode 2.7 2.5 Anode GEO06972 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GEO06972
OHF01026
OHF01402
OHF00331
GEO06972
Q62702-P1794
SFH2400
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OHFD0228
Abstract: GEOY6972 SFH 2400FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400 SFH 2400FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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2400FA
2400FA)
OHFD0228
GEOY6972
SFH 2400FA
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BP 104 FAS
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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OHF00078
Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und
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Original
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Q65110A2626
200any
OHF00078
Q65110A2626
GEOY6861
J-STD-020B
OHLA0687
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GEOY6861
Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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GEOY6861
GEOY6861
Q62702-P1605
OHF00078
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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OHF01402
GEO06861
GEO06861
Q62702-P1605
OHF02283
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
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Original
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OHFD1781
Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
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Original
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
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Q62702-P1605
Abstract: GEO06861
Text: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
Q62702-P1605
GEO06861
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BP 104 FAS
Abstract: BP 104 FASR
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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1100nm
BP 104 FAS
BP 104 FASR
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sfh 206
Abstract: 850 nm LED foto transistor S8050 TCI circuit Q62702-P129
Text: SFH 206 K feo06647 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns
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Original
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feo06647
OHF00078
OHF00394
OHF00082
OHF01402
sfh 206
850 nm LED
foto transistor
S8050
TCI circuit
Q62702-P129
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 25 ns • Suitable for SMT • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
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Original
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D-93055
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Fotodiode
Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEO06075
GEO06861
Fotodiode
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104FS
BP104F
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bpw 104
Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1604 Q62702-P929 bpw+104 BPW34F
Text: 0.8 0.6 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 F BPW 34 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8
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Original
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feo06075
feo06861
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
bpw 104
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1604
Q62702-P929
bpw+104
BPW34F
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feo06643
Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050
Text: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 BPW 34 S feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 . 5˚ 5.08 mm
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Original
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feo06643
feo06862
GEO06643
GEO06863
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
feo06643
GEO06643
GEO06863
Q62702-P1602
Q62702-P73
S8050
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 0 OPTEK Product Bulletin OP913SL June 1996 PIN Silicon Photodiodes Types OP913SL, OP913WSL Features Reverse Voltage. 32 V Storage Temperature Range. -65°C to +150° C
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OP913SL
OP913SL,
OP913WSL
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