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Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
3LN03SS Abstract: is350 marking YG Contextual Info: 3LN03SS Ordering number : ENN8231 N-Channel Silicon MOSFET 3LN03SS General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. High ESD Voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].	Original	3LN03SS ENN8231 3LN03SS is350 marking YG	PDF
MCH3307 Abstract: SBS004 ENN8235 2171A Contextual Info: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)	Original	CPH5838 ENN8235 MCH3307) SBS004) MCH3307 SBS004 ENN8235 2171A	PDF
3LP03M Abstract: TYP300V Contextual Info: 3LP03M 注文コード No. N 8 1 5 4 3LP03M P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・高速スイッチング。・2.5V 駆動。・高静電耐量 TYP300V [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。	Original	3LP03M TYP300V) 120mA 120mA, IT07659 --10V --15V IT08164 IT08166 3LP03M TYP300V	PDF
MCH6629 Abstract: D1306 TYP300V Contextual Info: MCH6629 注文コード No. N 8 2 3 9 A 三洋半導体データシート半導体ニューズ No.N8239 をさしかえてください。 MCH6629 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長	Original	MCH6629 N8239 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT09251 IT09252 IT09253 MCH6629 D1306 TYP300V	PDF
CPH5811 Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM Contextual Info: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.	Original	CPH5811 ENN8234 MCH3406) SBS004) CPH5811 MCH3406 SBS004 2171A marking QM	PDF
SCH2810 Contextual Info: SCH2810 注文コード No. N 8 2 4 6 三洋半導体データシート N SCH2810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに	Original	SCH2810 900mm2 22805PE TB-00001168 IT06804 IT06805 IT06806 IT06807 SCH2810	PDF
MARKING JB Abstract: transistor 2222a data sheet ECH8302 IT09329 Contextual Info: ECH8302 Ordering number : ENN8247 P-Channel Silicon MOSFET ECH8302 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage	Original	ECH8302 ENN8247 900mm2 MARKING JB transistor 2222a data sheet ECH8302 IT09329	PDF
SCH2810 Contextual Info: SCH2810 Ordering number : ENN8246 SCH2810 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package	Original	SCH2810 ENN8246 SCH2810	PDF
MCH3435 Contextual Info: MCH3435 Ordering number : ENN8238 N-Channel Silicon MOSFET MCH3435 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].	Original	MCH3435 ENN8238 900mm2 MCH3435	PDF
CPH6314 Contextual Info: CPH6314 注文コード No. N 8 2 3 6 三洋半導体データシート N CPH6314 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・高速スイッチング。・4V 駆動。	Original	CPH6314 1200mm2 IT04500 --10V 1200mm2 IT04501 IT04502 CPH6314	PDF
MCH3406 Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s Contextual Info: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに	Original	CPH5811 MCH3406) SBS004) 600mm2 22805PE TB-00001212 IT00624 IT00623 MCH3406 SBS004 CPH5811 2171A 4863s	PDF
MCH6629 Abstract: 8239 D1306 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V	Original	MCH6629 EN8239A MCH6629 8239 D1306	PDF
MCH6629 Abstract: 8239 D1306 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V	Original	MCH6629 EN8239A MCH6629 8239 D1306	PDF
2171a Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838 Contextual Info: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	CPH5838 MCH3307 SBS004 600mm2 22805PE TB-00001210 IT00624 IT00623 2171a MCH3307 CPH5838	PDF

3LN03SS Abstract: D2006 TYP300V IT08161 IT07519 Contextual Info: 3LN03SS 注文コード No. N 8 2 3 1 三洋半導体データシート N 3LN03SS N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・高速スイッチング。・2.5V 駆動。	Original	3LN03SS TYP300V) 180mA 180mA, IT07518 IT07516 IT07514 IT07519 IT07521 3LN03SS D2006 TYP300V IT08161 IT07519	PDF
CPH6314 Contextual Info: CPH6314 Ordering number : ENN8236 CPH6314 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions	Original	CPH6314 ENN8236 1200mm2 CPH6314	PDF
8239 Abstract: MCH6629 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : ENN8239 P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].	Original	MCH6629 ENN8239 8239 MCH6629	PDF