GTO Snubber Capacitor
Abstract: 30J60
Text: Key Parameters VDRM = 6000 ITGQM = 3000 ITSM = 24 VT0 = 1.70 rT = 0.60 VDClink = 3800 V A kA V Gate turn-off Thyristor 5SGT 30J6004 mΩ V Doc. No. 5SYA 1212-04 April 98 Features The 5SGT 30J6004 is an 85 mm buffered layer, Transparent Emitter non-shorted anode GTO
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30J6004
30J6004
CH-5600
GTO Snubber Capacitor
30J60
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ABB thyristor 5
Abstract: GTO ABB GTO thyristor ABB
Text: VDRM ITGQM ITSM VT0 rT VDClin = = = = = = 6000 3000 24 1.70 0.60 3800 V A kA V Gate turn-off Thyristor 5SGT 30J6004 mΩ V Doc. No. 5SYA 1212-04 Aug. 2000 • Patented free-floating silicon technology • Low on-state and switching losses • Annular gate electrode
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30J6004
30J6004
CH-5600
ABB thyristor 5
GTO ABB
GTO thyristor ABB
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5SDF01R2501
Abstract: 5SGA 5SGA30J2501 RTK 031
Text: A S Y M M E T R I C _ G T Q T H Y R I S T O R S - ± X 0 GTO - Patentierter freier Druckkontakt. - Alle GTOs werden unter Ausschalt grenzwerten getestet. - Ausgezeichnete O ptimierung zwiscl Durchlass- und Schaltverlusten. - Spezifizierte Höhenstrahlungsfes
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01R2501
05D2501
05D2501
15F2502
20H2501
25H2501
30J2501
20H4502
11F2501
03D4501
5SDF01R2501
5SGA
5SGA30J2501
RTK 031
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