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    MCH6423

    Abstract: TA72
    Text: MCH6423 注文コード No. N 8 9 4 4 三洋半導体データシート N MCH6423 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃


    Original
    PDF MCH6423 1200mm2 IT07441 IT07440 1200mm2 IT10108 IT10109 MCH6423 TA72

    SCH1410

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1410 注文コード No. N 8 9 8 4 三洋半導体データシート N SCH1410 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。


    Original
    PDF SCH1410 900mm2 IT02726 900mm2 IT10060 IT10061 SCH1410

    SCH1410

    Abstract: No abstract text available
    Text: SCH1410 Ordering number : EN8984 N-Channel Silicon MOSFET SCH1410 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions


    Original
    PDF SCH1410 EN8984 900mm2 SCH1410

    CPH5847

    Abstract: 86-89-2
    Text: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ


    Original
    PDF CPH5847 900mm2 82505PE TB-00001763 IT09559 IT09557 IT09556 ID00435 CPH5847 86-89-2

    MCH6423

    Abstract: No abstract text available
    Text: MCH6423 Ordering number : EN8944 N-Channel Silicon MOSFET MCH6423 General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS


    Original
    PDF MCH6423 EN8944 1200mm2 MCH6423

    marking .xz

    Abstract: CPH5847
    Text: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original
    PDF CPH5847 EN8689 marking .xz CPH5847